[发明专利]一种具有增强的抗辐射性能的模拟集成电路加工方法

权利要求书

1.一种具有增强的抗辐射性能的模拟集成电路加工方法，其特征在于，所述方法包括：

在硅衬底的隔离单晶区中形成含有源元件和无源元件的集成电路之后，将含有有源元件和无源元件的集成电路中的辐射敏感级联的晶体管制成复合形式的晶体管；

通过α-粒子对复合形式的晶体管进行辐照，将所述复合形式的晶体管的辐射缺陷引入发射极-基极结来调节复合晶体管的增益系数；

利用γ-粒子辐照所述集成电路中的所有元件；

在γ-粒子辐照所有元件后，对所述集成电路进行稳定退火处理，所述稳定退火时间与形成所述集成电路过程中的原型退火时间一致；

其中，通过α-粒子对复合形式的晶体管进行辐照的过程中，辐照时间通过如下公式获取：

其中，T_α表示α-粒子对复合形式的晶体管进行辐照的辐照时间；H_α表示当前α-粒子的实际辐照通量；H_αmax表示α-粒子辐照通量范围的上限值；H_αmin表示α-粒子辐照通量范围的下限值；T₁表示α-粒子的标准辐照时间，T₁的取值范围为30min-45min；ΔT_α表示在α-粒子辐照过程中，对辐照通量进行调节后，α-粒子辐照时间变化量；T_yα表示表示已进行辐照的时间长度；H_bα表示调整后的α-粒子辐照通量；

利用γ-粒子辐照所述集成电路中的所有元件的过程中，辐照时间通过如下公式获取：

其中，T_γ表示γ-粒子对复合形式的晶体管进行辐照的辐照时间；H_γ表示当前γ-粒子的实际辐照通量；H_γmax表示γ-粒子辐照通量范围的上限值；H_γmin表示γ-粒子辐照通量范围的下限值；T₂表示γ-粒子的标准辐照时间，T₂的取值范围为25min-35min；ΔT_γ表示在γ-粒子辐照过程中，对辐照通量进行调节后，γ-粒子辐照时间变化量；T_yγ表示表示已进行辐照的时间长度；H_bγ表示调整后的γ-粒子辐照通量。

2.根据权利要求1所述模拟集成电路加工方法，其特征在于，所述在硅衬底的隔离单晶区中形成含有源元件和无源元件的集成电路，包括：

在基质晶体的单晶硅区中通过氧化处理，在所述单晶硅区的表面上形成厚度为0.6μm的氧化层，经过杂质扩散和再分布，接触的金属化与扩散形成双极晶体管和扩散电阻；

在所述单晶硅区内形成为0.7-0.8微米且掺杂浓度为2E17/cm²的区域，并且，所述双极晶体管和扩散电阻之间通过导电线连接，形成所述集成电路。