[发明专利]晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置

说明书

本发明涉及晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置结构，涉及晶圆级测试技术，通过控制使得与待测开关元器件并联的一开关元器件导通，则该导通的开关元器件的第一电极与第二电极电连通，则待测开关元器件的第一电极与该导通的开关元器件的第二电极电连通，第二探针接触该导通的开关元器件的第二电极相当于接触待测开关元器件的第一电极，同时第一探针接触待测开关元器件的第二电极，如此可通过第一探针和第二探针测试待测开关元器件的电气特性，因第一探针和第二探针为分别与待测开关元器件和该导通的开关元器件的第二电极对应的探针，因此缩短了待测开关元器件的电气特性测试路径，大大减小了寄生电感，且无需改变测试装置的结构。

技术领域

本发明涉及晶圆级测试技术，尤其涉及晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置。

背景技术

在半导体集成电路技术中，半导体集成电路中的各种元器件通过半导体集成电路制造工艺形成在晶圆上。在晶圆制造完成之后，晶圆测试是非常重要的，测试设备通过与元器件的外接触电极接触，测试其电气特性，以判断晶圆上的元器件是否符合出厂标准。电气特性测试完成后，利用切割机分割各元器件，之后完成封装并出售，因此电气特性测试至关重要。

发明内容

本发明在于提供一种晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置，其特征在于，包括：晶圆，置于晶圆卡盘上，其中晶圆上包括多个开关元器件，多个开关元器件均包括第一电极和第二电极，多个开关元器件的第一电极互相连接，并多个开关元器件的第一电极位于晶圆的第一面，晶圆卡盘通过晶圆的第一面支撑晶圆，多个开关元器件的第二电极均位于晶圆的第二面，晶圆的第二面与晶圆的第一面为晶圆的两相对面，并多个开关元器件均可通过一开关控制信号的控制使得第一电极与第二电极电连通；探针卡，探针卡的与晶圆的第二面面对的一侧上设置多个探针，其中一第一探针接触多个开关元器件中的一第一开关元器件的第二电极，一第二探针接接触多个开关元器件中的一第二开关元器件的第二电极；以及开关元件驱动电路，连接晶圆上的多个开关元器件，用于输出所述开关控制信号。

更进一步的，当测试第一开关元器件的电气特性时，所述开关控制信号控制使得至少一第二开关元器件处于导通状态，读取从第一探针和第二探针输出的信号，并根据从第一探针和第二探针输出的信号获得第一开关元器件的电气特性。

更进一步的，所述第一探针和所述第二探针均位于所述探针卡的与所述晶圆直接面对的区域范围内。

更进一步的，所述第二开关元器件为晶圆上与所述第一开关元器件相邻排布的开关元器件。

更进一步的，所述第二开关元器件为晶圆上与所述第一开关元器件在X轴或Y轴方向上相邻排布的开关元器件。

更进一步的，所述第二开关元器件为晶圆上与所述第一开关元器件成斜角相邻排布的开关元器件。

更进一步的，所述第二开关元器件与所述第一开关元器件之间间隔至少一个开关元器件。

更进一步的，导通的第二开关元器件的个数为多个，所述第二探针包括多个探针，其中多个第二探针与导通的多个第二开关元器件的第二电极一一对应接触。

附图说明

图1为典型的晶圆测试系统结构示意图。

图2为晶圆上MOSFET的电路原理示意图。

图3为本发明一实施例的晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置示意图。

图4为晶圆上开关元器件的分布示意图。

图5为晶圆上开关元器件的电路示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。