[发明专利]一种微型半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种微型半导体发光器件的制造方法，其特征在于，包括：

在生长衬底上生长发光外延结构；

形成第一功能层，其中，所述第一功能层至少覆盖所述发光外延结构背离所述生长衬底的一侧；

在所述第一功能层背离所述发光外延结构的一侧形成转移衬底，其中，所述转移衬底与所述第一功能层之间局部形成有牺牲层；

移除所述生长衬底，并外露出所述发光外延结构的一侧；

形成第二功能层，其中，所述第二功能层至少覆盖所述发光外延结构背离所述转移衬底的一侧；

移除所述牺牲层，以使所述发光外延结构、覆盖所述发光外延结构的所述第一功能层和覆盖所述发光外延结构的所述第二功能层与所述转移衬底无接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发光外延结构包括外延层和第二导电类型电极，所述外延层包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述第二导电类型电极设置在所述第二半导体层背离所述有源层的一侧，其中，在所述第二半导体层朝向所述第二导电类型电极一侧形成有台面结构，并外露出部分所述第二半导体层；

所述形成第一功能层的步骤包括：形成覆盖所述第二半导体层背离所述有源层的一侧以及所述第二导电类型电极背离所述第二半导体层的一侧的所述第一功能层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，移除所述生长衬底后外露出所述第一半导体层；

所述形成第二功能层的步骤之前，所述方法还包括：

对所述外延层进行图形化处理，以外露出部分所述第一功能层以及所述第二导电类型电极；

在所述第一半导体层背离所述有源层一侧形成第一导电类型电极，其中，在所述第一半导体层朝向所述第一导电类型电极一侧形成有台面结构，并外露出部分所述第一半导体层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成第二功能层的步骤包括：

形成覆盖所述第一功能层背离所述转移衬底一侧、所述外延层的侧壁、所述外延层背离所述转移衬底一侧、所述第一导电类型电极的边缘区域、以及所述第二导电类型电极的边缘区域的所述第二功能层；

其中，所述第二功能层上设有用于外露出部分所述第一导电类型电极的第一开槽和用于外露出部分所述第二导电类型电极的第二开槽。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成第二功能层的步骤之前，所述方法还包括：

在所述第二导电类型电极背离所述转移衬底的一侧形成第三导电类型电极，所述第三导电类型电极与所述第二导电类型电极具有相同的掺杂类型；

其中，在所述第二导电类型电极朝向所述第三导电类型电极一侧形成有台面结构，并外露出部分所述第二导电类型电极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成第二功能层的步骤包括：

形成覆盖所述第一功能层背离所述转移衬底一侧、所述外延层的侧壁、所述外延层背离所述转移衬底一侧、所述第一导电类型电极的边缘区域、所述第二导电类型电极背离所述转移衬底一侧、以及所述第三导电类型电极的边缘区域的所述第二功能层；

其中，所述第二功能层上设有用于外露出部分所述第一导电类型电极的第一开槽和用于外露出部分所述第三导电类型电极的第三开槽。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发光外延结构包括外延层、第一导电类型电极和第二导电类型电极，所述外延层包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，其中，在所述第一半导体层朝向所述第二半导体层一侧形成有台面结构，并外露出部分所述第一半导体层，所述第一导电类型电极设置在所述第一半导体层背离所述生长衬底的一侧，所述第二导电类型电极设置在所述第二半导体层背离所述有源层的一侧；

所述形成第一功能层的步骤包括：形成覆盖所述外延层背离所述生长衬底一侧、所述外延层侧壁、所述第一导电类型电极的边缘区域以及所述第二导电类型电极的边缘区域的所述第一功能层，其中，所述第一功能层上设有用于外露出部分所述第一导电类型电极的第四开槽和用于外露出部分所述第二导电类型电极的第五开槽。