[发明专利]一种SiC沟槽的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202110706098.2 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN115527848A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 杨成樾;刘新宇;白云;王臻星;韩忠霖;汤益丹;陈宏;田晓丽;陆江;郝继龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 岳渊渊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 沟槽 刻蚀 方法 | ||
1.一种SiC沟槽的刻蚀方法，其特征在于，包括：
在碳化硅基质表面制备图形化的掩膜层；
对所述掩膜层进行图形优化；
利用所述图形优化后的掩膜层对所述碳化硅基质进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：
步骤1、在碳化硅基质上制备掩膜层，沿远离碳化硅基质表面方向，所述掩膜层依次包括：第一掩膜介质层和第二掩膜介质层；
步骤2、对所述第二掩膜介质层进行图形化；
步骤3、以所述第二掩膜介质层为掩膜刻蚀所述第一掩膜介质层，将第二掩膜介质层上的图形传导转移到第一掩膜介质层上；完成第一掩膜介质层图形化后去除残留的第二掩膜介质层并清洗衬底；
步骤4、采用回流工艺对所述第一掩膜介质层形貌进行调整；
步骤5、以所述第一掩膜介质层为掩膜刻蚀碳化硅基质，形成所需的沟槽结构。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述第一掩膜介质层的材料为非晶体，所述第一掩膜介质层的回流温度小于所述碳化硅基质的晶型重构温度；
所述第一掩膜介质层与所述碳化硅基质的刻蚀选择比为2-3。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述第一掩膜介质层的材料为磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。
5.根据权利要求1-4所述的方法，其特征在于，
所述第一掩膜介质层与所述第二掩膜介质层的厚度比为1:2-1:3。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
所述第一掩膜介质层与所述碳化硅基质的刻蚀选择比为2-3，所述第一掩膜介质层与所述碳化硅基质的厚度比为1:2。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述步骤4，包括：
在惰性气氛和加热温度800℃-1200℃的条件下，加热30min-60min。
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述回流后的第一掩膜介质层的底角不小于45°。
9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
刻蚀完成后，碳化硅的沟槽侧面垂直于沟槽底面。
10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述第一掩膜介质层晶型重构温度小于所述碳化硅基质的晶型重构温度；
所述第一掩膜介质层与所述碳化硅基质的刻蚀选择比为2-3；
所述第一掩膜介质层的材料为具有多个晶型结构的晶体，且所述晶体在晶型重构过程中不熔化。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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