[发明专利]一种光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：

S101，将氧化镓前驱体材料与金属硝酸盐按照预置的配置比例进行混合后溶解于有机溶剂或水溶剂中，并过滤溶解后的试剂，得到过滤后的溶剂；

S102，将所述过滤后的溶剂旋涂或打印至衬底上，并在第一温度下烘干试剂并去除所述有机溶剂或所述水溶剂；

S103，重复S102步骤多次，得到预置厚度的体结光敏层；

S104，对S103步骤得到的晶片在第二温度下进行退火处理，以使所述体结光敏层转换成氧化物薄膜层；

S105，对S104步骤得到的晶片在第三温度下进行二次退火处理，得到氧化镓体结材料光敏层；其中，所述氧化镓体结材料光敏层由和氧化镓构成II型异质结的半导体材料与氧化镓构成；所述和氧化镓构成II型异质结的半导体材料为氧化锌、氧化镍、氮化铝、硫化镉、硫化硒、氮化镓、氧化铜、二硫化钼或四氧化三铁；

S106，在所述氧化镓体结材料光敏层表面沉积对电极。

2.根据权利要求1所述的光电探测器的制备方法，其特征在于，所述第一温度小于等于150℃，所述第二温度小于等于500℃，第三温度大于等于600℃。

3.一种光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：

S201，将氧化镓前驱体材料与金属硝酸盐按照预置的配置比例进行混合后溶解于有机溶剂或水溶剂中，并过滤溶解后的试剂，得到过滤后的溶剂；

S202，在衬底上沉积底电极；

S203，将所述过滤后的溶剂旋涂或打印至所述底电极上，并在第一温度下烘干试剂及去除所述有机溶剂或所述水溶剂；

S204，重复S203步骤多次，得到预置厚度的体结光敏层；

S205，对所述S204步骤中得到的晶片在第四温度下进行退火处理，以使所述体结光敏层转换成氧化物薄膜；

S206，对所述S205步骤中得到的晶片在第五温度下进行二次退火处理，得到氧化镓体结材料光敏层；其中，所述氧化镓体结材料光敏层由和氧化镓构成II型异质结的半导体材料与氧化镓构成；所述和氧化镓构成II型异质结的半导体材料为氧化锌、氧化镍、氮化铝、硫化镉、硫化硒、氮化镓、氧化铜、二硫化钼或四氧化三铁；

S207，在所述氧化镓体结材料光敏层上沉积顶电极。

4.一种光电探测器，其特征在于，该光电探测器基于如权利要求1或3所述的光电探测器的制备方法制备得到，包括：

衬底；

氧化镓体结材料光敏层，其位于所述衬底上；

对电极，相对设置在所述氧化镓体结材料光敏层上表面或所述氧化镓体结材料光敏层上下表面。

5.根据权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述预置的配置比例为1∶1～1∶20。

6.根据权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述氧化镓体结材料光敏层的厚度为1～1000nm。

7.根据权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述对电极由Ti/Au、Ti/Al/Ni/Au、Cr/Au、Ag、In、Al、Pd、ITO、Ni/Au、Pt、Au、石墨烯中的一种或多种构成。

8.根据权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述衬底由绝缘材料或半绝缘材料构成。

9.根据权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述对电极为方形电极、圆形电极、叉指电极或多边形电极。