[发明专利]一种高效率钙钛矿太阳电池及制备方法在审

专利信息
申请号: 202110708635.7 申请日: 2021-06-25
公开(公告)号: CN113363390A 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 丁毅;侯国付;候敏娜;赵颖;张晓丹 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44;H01L51/00;H01L51/42
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 高效率 钙钛矿 太阳电池 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高效率钙钛矿太阳电池,其特征在于,包括导电基底、所述导电基底上设置电子传输层、所述电子传输层上设置钙钛矿光吸收层、所述钙钛矿光吸收层设置修饰层、所述修饰层上设置空穴传输层、所述空穴传输层上设置电极;

所述修饰层包括修饰分子,所述修饰分子为TMPMAI,其结构为:

2.根据权利要求1所述一种高效率钙钛矿太阳电池,其特征在于,将TMPMAI溶解在异丙醇(IPA)溶液中,制备为TMPMAI/IPA溶液,将TMPMAI/IPA溶液旋涂在所述钙钛矿光吸收层上形成所述修饰层。

3.根据权利要求2所述一种高效率钙钛矿太阳电池,其特征在于,TMPMAI/IPA溶液的浓度为5mM。

4.一种高效率钙钛矿太阳电池制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一,对导电基底进行清洗;

步骤二,在导电基底上制备电子传输层;

步骤三,在电子传输层上制备钙钛矿光吸收层;

步骤四,在钙钛矿光吸收层上制备修饰层,所述修饰层包括修饰分子,所述修饰分子为TMPMAI,其结构为:

步骤五,在修饰层上制备空穴传输层;

步骤六,在空穴传输层上制备电极。

5.根据权利要求4所述一种高效率钙钛矿太阳电池制备方法,其特征在于,所述步骤四中具体包括,将TMPMAI溶解在IPA溶液中,制备为TMPMAI/IPA溶液,将TMPMAI/IPA溶液旋涂在所述钙钛矿光吸收层上形成所述修饰层。

6.根据权利要求5所述一种高效率钙钛矿太阳电池制备方法,其特征在于,TMPMAI/IPA溶液的浓度为5mM。

7.根据权利要求4所述一种高效率钙钛矿太阳电池制备方法,其特征在于,所述步骤二包括,将导电基底进行亲水化处理后,将浓度为15%的二氧化锡(SnO2)水溶胶,按体积比1:3的稀释比用去离子水稀释后,在导电基底上进行旋涂、退火得到电子传输层。

8.根据权利要求4所述一种高效率钙钛矿太阳电池制备方法,其特征在于,所述步骤三包括,

步骤31,将冷却后的电子传输层基底紫外臭氧处理10-20min,送入手套箱,将浓度为1.5M的碘化铅PbI2溶液在紫外臭氧处理后的电子传输层上旋涂、退火;

步骤32,将有机盐溶液在冷却到室温的PbI2层上进行旋涂,将旋涂完有机盐的薄膜进行退火形成钙钛矿光吸收层。

9.根据权利要求4所述一种高效率钙钛矿太阳电池制备方法,其特征在于,所述步骤五包括,将双三氟甲烷磺酰亚胺锂溶于乙腈中,制备浓度为260mg/mL的锂盐溶液;将2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-OMeTAD)、4-叔丁基吡啶、锂盐溶液溶于氯苯中,制备浓度为72.3mg/mL的spiro-OMeTAD溶液;将spiro-OMeTAD溶液用3000rpm的转速在修饰层上旋涂30s,形成空穴传输层。

10.根据权利要求4所述一种高效率钙钛矿太阳电池制备方法,其特征在于,所述步骤六包括,在所述空穴传输层上蒸镀80-100nm金或银作为电极。

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