[发明专利]非晶硅薄膜形成方法在审
| 申请号： | 202110709272.9 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113506721A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 朱黎敏;陆涵蔚;华光平;徐云;张博 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶硅 薄膜 形成 方法 | ||
1.一种非晶硅薄膜形成方法，其特征在于，所述方法包括：
在半导体衬底表面形成底层非晶硅薄膜；
进行n次成膜工艺处理，在所述底层非晶硅薄膜表面形成n组层叠的薄膜结构，每组薄膜结构由一层氧化硅薄膜和一层非晶硅薄膜堆叠构成；n为大于等于1的整数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每次成膜工艺处理包括：
通过等离子体化学气相淀积工艺在所述半导体衬底表面形成一层氧化硅薄膜；
在所述氧化硅薄膜表面形成一层非晶硅薄膜。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述底层非晶硅薄膜的厚度大于每组薄膜结构中非晶硅薄膜的厚度。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当n为大于1的整数时，第i-1组薄膜结构中非晶硅薄膜的厚度大于第i组薄膜结构中非晶硅薄膜的厚度；i为整数，i的取值范围为2至n。
5.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，通过PECVD工艺形成底层非晶硅薄膜和薄膜结构中的非晶硅薄膜。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在形成非晶硅薄膜时，PECVD工艺条件为：淀积温度为300℃至450℃，压强为1Torr至10Torr，硅烷流量为100sccm至500sccm，一氧化二氮流量为1000sccm至5000sccm。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成非晶硅薄膜时，PECVD工艺条件为：淀积时间为10s至100s。
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过等离子体化学气相淀积工艺形成所述氧化硅薄膜时，淀积时间为10s至30s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
