[发明专利]显示装置及拼接式显示器在审
申请号: | 202110709729.6 | 申请日: | 2021-06-25 |
公开(公告)号: | CN113851511A | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 张大焕;成宇镛;赵镇晧 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3208 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 拼接 显示器 | ||
1.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:
基底,包括显示部分、焊盘部分以及在所述显示部分与所述焊盘部分之间的弯曲部分;
显示层,设置在所述显示部分的第一表面上,所述显示层包括像素;
焊盘电极,设置在所述焊盘部分的第一表面上;以及
金属层,所设置在所述显示部分的第二表面及在所述焊盘部分的第二表面上,所述显示部分的所述第二表面与所述显示部分的所述第一表面相对,并且所述焊盘部分的所述第二表面与所述焊盘部分的所述第一表面相对,其中,
所述弯曲部分的厚度小于所述显示部分的厚度和所述焊盘部分的厚度中的至少一个,并且
所述弯曲部分的平面形状是由所述金属层来确定的。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述金属层包括抗干蚀刻的金属氧化物;并且
所述金属层的蚀刻速率低于所述基底的蚀刻速率。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述金属层的热导率高于所述基底的热导率。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置进一步包括保护膜,所述保护膜覆盖设置在所述显示部分的所述第二表面上的所述金属层以及设置在所述焊盘部分的所述第二表面上的所述金属层,
其中,在所述弯曲部分弯曲的情况下,覆盖设置在所述显示部分的所述第二表面上的所述金属层的所述保护膜的一部分与覆盖设置在所述焊盘部分的所述第二表面上的所述金属层的所述保护膜的另一部分彼此面对。
5.一种拼接式显示器,其中,所述拼接式显示器包括:
显示装置,每个所述显示装置包括基底,所述基底包括显示部分、焊盘部分以及在所述显示部分与所述焊盘部分之间的弯曲部分;
耦接构件,用于使所述显示装置彼此耦接;以及
覆盖构件,用于覆盖所述显示装置和所述耦接构件,
其中,每个所述显示装置包括:
显示层,设置在所述显示部分的第一表面上,所述显示层包括像素;
焊盘电极,设置在所述焊盘部分的第一表面上;以及
金属层,设置在所述显示部分的第二表面和所述焊盘部分的第二表面上,所述显示部分的所述第二表面与所述显示部分的所述第一表面相对,并且所述焊盘部分的所述第二表面与所述焊盘部分的所述第一表面相对,其中
所述弯曲部分的厚度小于所述显示部分的厚度和所述焊盘部分的厚度中的至少一个,并且
所述弯曲部分的平面形状是由所述金属层来确定的。
6.根据权利要求5所述的拼接式显示器,其中,
所述金属层包括抗干蚀刻的金属氧化物,并且
所述金属层的蚀刻速率低于所述基底的蚀刻速率。
7.根据权利要求5所述的拼接式显示器,其中,所述金属层的热导率高于所述基底的热导率。
8.根据权利要求5所述的拼接式显示器,其中,每个所述显示装置的所述弯曲部分在厚度方向上与所述耦接构件重叠。
9.根据权利要求5所述的拼接式显示器,其中,每个所述显示装置进一步包括保护膜,所述保护膜覆盖设置在所述显示部分的所述第二表面上的所述金属层以及设置在所述焊盘部分的所述第二表面上的所述金属层,
其中,覆盖设置在所述显示部分的所述第二表面上的所述金属层的所述保护膜的一部分与覆盖设置在所述焊盘部分的所述第二表面上的所述金属层的所述保护膜的另一部分彼此面对。
10.根据权利要求5所述的拼接式显示器,其中,所述显示层包括:
薄膜晶体管层,设置在所述显示部分上并且包括至少一个薄膜晶体管;
发光元件层,设置在所述薄膜晶体管层上并且包括电连接到所述至少一个薄膜晶体管的发光元件;
波长转换层,设置在所述发光元件层上并且包括与所述发光元件重叠的波长转换部分;以及
滤色器层,设置在所述波长转换层上并且包括与所述波长转换部分重叠的滤色器,
其中,每个所述显示装置进一步包括封装层,所述封装层覆盖所述显示层的上表面和侧表面,并且
所述耦接构件设置在所述显示装置的相邻显示装置的封装层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的