[发明专利]传感器单元、辐射检测器、制造传感器单元的方法和使用传感器单元的方法在审

专利信息
申请号: 202110710089.0 申请日: 2021-06-25
公开(公告)号: CN113851497A 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: C·乌尔博格 申请(专利权)人: 直接转换公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G01T1/24;H04N5/374
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑振
地址: 瑞典丹*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 传感器 单元 辐射 检测器 制造 方法 使用
【权利要求书】:

1.一种用于辐射检测器(12)的传感器单元(14、14a、14b),所述传感器单元包括:

-转换元件(22、22a、22b),所述转换元件包括多个成像像素(26、26b、28、28b、60),每个成像像素(26、26b、28、28b、60)被配置为将辐射直接转换为电荷,每个成像像素(26、26b、28、28b、60)包括电荷收集电极(30、30b),并且所述成像像素(26、26b、28、28b、60)包括第一成像像素(26、26b)和第二成像像素(28、28b);以及

-读出基板(40),所述读出基板包括布置成网格的多个读出像素(42),每个读出像素(42)通过所述电荷收集电极(30、30b)上的连接位置(50)处的互连部分(44)连接至相关联的成像像素(26、26b、28、28b、60);

其中所述第二成像像素(28、28b)相对于所述第一成像像素(26、26b)在移位方向(36)上移位;并且

其中在所述第一成像像素(26、26b)与所述第二成像像素(28、28b)之间相对于所述电荷收集电极(30、30b)的所述连接位置(50)是不同的。

2.根据权利要求1所述的传感器单元(14、14a、14b),其中所述移位方向(36)基本上垂直于所述传感器单元(14、14a、14b)的扫描方向(24)。

3.根据权利要求1所述的传感器单元(14、14a、14b),其中所述读出像素(42)布置成包括多个读出行(46)和多个读出列(48)的矩阵,所述读出行(46)基本上垂直于所述读出列(48)并且与所述移位方向(36)基本上平行。

4.根据权利要求1所述的传感器单元(14、14a、14b),其中所述第一成像像素(26、26b)布置成第一行(32)并且所述第二成像像素(28、28b)布置成第二行(34),所述第一行(32)和所述第二行(34)中的每一者与所述移位方向(36)基本上平行。

5.根据权利要求4所述的传感器单元(14、14a、14b),其中每个第一行(32)和每个第二行(34)与相应的读出行(46)基本上对准。

6.根据权利要求4或5所述的传感器单元(14、14a、14b),其中所述第一行(32)和所述第二行(34)是交替布置的。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的传感器单元(14、14a、14b),其中所述第一成像像素(26、26b)的所述连接位置(50)相对于所述相关联的电荷收集电极(30、30b)是偏心的。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的传感器单元(14、14a、14b),其中所述第二成像像素(28、28b)的所述连接位置(50)相对于所述相关联的电荷收集电极(30、30b)是偏心的。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的传感器单元(14、14a、14b),其中所述第二成像像素(28、28b)从其中所述第二成像像素(28、28b)与所述第一成像像素(26、26b)对准的位置移位不足所述成像像素(26、26b、28、28b、60)的宽度。

10.根据权利要求1-5中任一项所述的传感器单元(14、14a、14b),其中所述第二成像像素(28、28b)从其中所述第二成像像素(28、28b)与所述第一成像像素(26、26b)对准的位置移位所述成像像素(26、26b、28、28b、60)的宽度的一半。

11.根据权利要求1-5中任一项所述的传感器单元(14、14a、14b),其中每个读出像素(42)包括具有特定用于相关联的读出像素(42)的至少一个电子部件的读出像素电子器件(56)。

12.根据权利要求11所述的传感器单元(14、14a、14b),其中所述至少一个电子部件包括放大器、比较器和/或用于对光子脉冲进行计数的计数器。

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