[发明专利]石墨基板

说明书

本公开提供了一种石墨基板，属于半导体技术领域。所述石墨基板的上表面具有用于容纳衬底的多圈凹槽，每圈所述凹槽均包括沿所述石墨基板的周向布置的多个凹槽，所述石墨基板的上表面层叠铺设有至少一层凸起，每层所述凸起均为圆形，且每层所述凸起的外周壁均呈波纹状，所述至少一层凸起与所述石墨基板同轴，且所述至少一层凸起的直径小于所述石墨基板的直径，所述至少一层凸起铺设在所述石墨基板的上表面以及所述多个凹槽的槽底和槽壁上。在本公开提供的石墨基板上生长外延片，可以使得外延片各个区域的发光波长一致，从而可以提高外延片的片内均匀性，保证边缘良率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种石墨基板。

背景技术

半导体发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。LED具有高效节能、绿色环保的优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率LED实现半导体固态照明，有望成为新一代光源进入千家万户，引起人类照明史的革命。

外延片是LED制作过程中的初级成品。形成外延片时，将衬底放置在金属有机化合物化学气相沉淀(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)设备的反应腔内的托盘上，MOCVD设备中的加热丝提供的热能通过托盘传导到衬底，同时向反应腔内通入原材料，在衬底上外延生长半导体材料形成外延片。石墨基板上设有多个凹槽，一个凹槽中可以容纳一个衬底。

在实现本公开的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

衬底放置在凹槽中时，石墨基板在外延片形成过程中高速旋转，凹槽内的衬底在离心力的作用下会向石墨基板的边缘偏移。且距离石墨基板的中心越远，凹槽内的衬底受到的离心力越大，衬底向石墨基板的边缘的偏移量越大，则衬底侧面与石墨基板的接触面越大。而加热丝提供的热能是通过石墨基板传导到衬底的，因此，衬底侧面与石墨基板的接触面积越大，生长温度越高，衬底上形成的外延片的翘曲越明显。所以，同一石墨基板上同时形成的外延片的翘曲会存在差异，极大影响了各个外延片的波长均匀性。

发明内容

本公开实施例提供了一种石墨基板，可以使得外延片各个区域的发光波长一致，从而可以提高外延片的片内均匀性，保证边缘良率。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种石墨基板，所述石墨基板为圆盘，所述石墨基板的上表面具有用于容纳衬底的多圈凹槽，每圈所述凹槽均包括沿所述石墨基板的周向布置的多个凹槽，

所述石墨基板的上表面层叠铺设有至少一层凸起，每层所述凸起均为圆形，且每层所述凸起的外周壁均呈波纹状，所述至少一层凸起与所述石墨基板同轴，且所述至少一层凸起的直径小于所述石墨基板的直径，所述至少一层凸起铺设在所述石墨基板的上表面以及所述多个凹槽的槽底和槽壁上。

可选地，所述石墨基板上铺设有n层凸起，1≤n≤15。

可选地，所述石墨基板上层叠铺设有多层凸起，沿所述多层凸起的层叠方向，所述多层凸起的直径逐渐减小。

可选地，沿所述多层凸起的层叠方向，所述凸起的高度逐渐增高。

可选地，每层所述凸起的高度均为10～100um。

可选地，沿所述多层凸起的层叠方向，相邻两层所述凸起之间的直径的差值逐渐增大。

可选地，每层所述凸起的直径均为10～50um。

可选地，所述石墨基板和所述凸起为一体成型的结构。

可选地，所述石墨基板为表面镀有碳化硅涂层的石墨盘。

可选地，所述石墨基板的厚度为10mm～20mm。

本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：