[发明专利]一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置

权利要求书

1.一种半导体放电管，其特征在于，包括：

第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括至少一个器件单元区；在任一所述器件单元区中，所述半导体衬底设置有第二导电类型的第一扩散区和第二扩散区，以及第一导电类型的第三扩散区，所述第一扩散区和所述第二扩散区被所述半导体衬底的第一导电类型的本体区所间隔；所述第三扩散区均与所述第一扩散区和所述半导体衬底的本体区相接触；所述第一扩散区内设置有第一导电类型的第四扩散区和第五扩散区；所述第三扩散区、所述第四扩散区和所述第五扩散区间隔设置，其中，所述第一导电类型和第二导电类型不同；

在任一所述器件单元区中对应设置的第一导电块，所述第一导电块与所述第一扩散区和所述第四扩散区电连接；

在任一所述器件单元区中对应设置的第二导电块，所述第二导电块与所述第一扩散区和所述第五扩散区电连接；由所述第三扩散区通过所述第一扩散区到达最近的第一短路点的最短电流流通路径上，依次经过与所述第四扩散区相接触的那部分第一扩散区、第二短路点和与所述第五扩散区相接触的那部分第一扩散区；其中，所述第一短路点为所述第一扩散区与所述第二导电块的相接触部分；所述第二短路点为所述第一扩散区与所述第一导电块的相接触部分；沿由所述第三扩散区通过所述第一扩散区到达最近的第一短路点的最短电流流通路径的方向，所述第四扩散区靠近所述第三扩散区的一端到所述第二短路点的最短距离大于所述第五扩散区靠近所述第四扩散区的一端到所述第一短路点的最短距离；

两个电极，在任一所述器件单元区中，所述第二导电块和所述第二扩散区电连接至不同的电极。

2.根据权利要求1所述的半导体放电管，其特征在于，在任一所述器件单元区中，所述半导体衬底的一侧设置有沟槽，所述第一扩散区与所述沟槽位于所述半导体衬底的同一侧，所述沟槽的深度大于所述第一扩散区的深度；所述第三扩散区和所述第四扩散区位于所述沟槽的第一侧；所述第五扩散区位于所述沟槽的与第一侧相对的第二侧；所述第三扩散区和所述第四扩散区的排列方向垂直于所述第四扩散区和所述第五扩散区的排列方向。

3.根据权利要求1所述的半导体放电管，其特征在于，在任一所述器件单元区中，所述第三扩散区和所述第四扩散区的排列方向垂直于所述第四扩散区和所述第五扩散区的排列方向；所述本体区延伸至所述第四扩散区和所述第五扩散区之间的相对区域。

4.根据权利要求1所述的半导体放电管，其特征在于，在任一所述器件单元区中，所述第一扩散区和所述第二扩散区位于所述半导体衬底的相对的两侧；所述第一扩散区和所述第二扩散区沿所述半导体衬底的厚度方向相对；

所述器件单元区为至少两个，至少两个器件单元区包括相邻设置的第一器件单元区和第二器件单元区；所述第一器件单元区的第一扩散区与所述第二器件单元区的第二扩散区位于所述半导体衬底的同一侧；

相邻设置的第一器件单元区和第二器件单元区中，位于所述半导体衬底的同一侧的第一扩散区和第二扩散区连通为同一扩散区。

5.根据权利要求1所述的半导体放电管，其特征在于，在任一所述器件单元区中，所述第五扩散区内设置有多个间隔设置的第一短路点；

所述第三扩散区位于所述第一扩散区和所述半导体衬底的本体区的交界处；所述第三扩散区的掺杂浓度大于所述本体区的掺杂浓度；

在任一所述器件单元区中，所述第四扩散区的深度小于所述第一扩散区的深度；所述第五扩散区的深度小于所述第一扩散区的深度；

在任一所述器件单元区中，所述第一导电块和所述第二导电块间隔设置；

所述第一导电类型为电子型，所述第二导电类型为空穴型；或者，所述第一导电类型为空穴型，所述第二导电类型为电子型。

6.一种过电压保护装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一所述的半导体放电管。