[发明专利]具有可调电压的场板的GaN HEMT器件

权利要求书

1.一种具有可调电压的场板的GaN HEMT器件，其特征在于包括：

依次叠层设置的异质结、介质层和绝缘结构层，所述异质结内形成有二维电子气，

源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极设置在所述介质层上并与所述异质结接触，所述源极和漏极能够通过所述二维电子气连接；以及，所述源极、漏极还分别与第一电连接结构、第二电连接结构连接，并分别经所述第一电连接结构、第二电连接结构引出至器件外部；

场板，至少所述场板的局部设置在所述栅极和漏极之间，且所述场板还与第三电连接结构连接，并经所述第三电连接结构引出至器件外部。

2.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于：所述第一电连接结构、第二电连接结构和第三电连接结构是独立设置的。

3.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于：所述第一电连接结构自所述器件的第一表面引出，并于器件的第一表面形成第一连接端口，所述第二电连接结构、第三电连接结构分别自所述器件的第二表面引出，并分别于器件的第二表面形成第二连接端口、第三连接端口，其中，所述第一表面和第二表面背对设置。

4.根据权利要求3所述的GaN HEMT器件，其特征在于：所述第二电连接结构、第三电连接结构贯穿所述绝缘结构层并自所述绝缘结构层的表面露出而分别形成第二连接端口、第三连接端口。

5.根据权利要求3所述的GaN HEMT器件，其特征在于：所述第二电连接结构、第三电连接结构分别包括第一连接金属、第二连接金属。

6.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于：所述场板包括相互连接的第一部分和第二部分，所述第一部分设置在所述介质层上且位于所述栅极和漏极之间，所述第二部分设置在所述栅极上方并沿朝向源极的方向横向延伸。

7.根据权利要求1或6所述的GaN HEMT器件，其特征在于：所述场板为单层或多层结构。

8.根据权利要求1或6所述的GaN HEMT器件，其特征在于：所述异质结设置在缓冲层上，所述缓冲层设置在衬底上，所述第二电连接结构沿厚度方向贯穿所述异质结、缓冲层、衬底并自所述衬底的表面露出。

9.根据权利要求8所述的GaN HEMT器件，其特征在于：所述第二电连接结构包括导电通道或第二连接金属。

10.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于包括：

依次叠层设置在衬底上的氮化镓缓冲层、氮化镓本征层、铝镓氮势垒层、氮化硅介质层和绝缘结构层，所述氮化镓本征层与铝镓氮势垒层之间形成有二维电子气；

源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极设置在所述氮化硅介质层上，且所述源极、漏极和栅极的局部贯穿所述氮化硅介质层并与铝镓氮势垒层接触，所述源极和漏极还能够通过所述二维电子气连接；以及，所述源极、漏极还分别与第一电连接结构、第二电连接结构连接，所述第一电连接结构沿沿厚度方向贯穿所述铝镓氮势垒层、氮化镓本征层、缓冲层、衬底并自所述衬底的表面露出而形成第一连接端口，所述第二电连接结构沿厚度方向贯穿所述绝缘结构层并自所述绝缘结构层的表面露出而形成第二连接端口；

场板，所述场板的部分设置在氮化硅介质层并位于所述栅极和漏极之间，其余部分设置在所述栅极的上方并沿朝向源极的方向横向延伸，所述场板还与第三电连接结构连接，所述第三电连接结构沿厚度方向贯穿所述绝缘结构层并自所述绝缘结构层的表面露出而形成第三连接端口。