[发明专利]具有高温电绝缘的功率半导体器件

权利要求书

1.一种器件(100)，其特征在于，包括：

高温半导体器件(102)，所述高温半导体器件(102)包括第一表面(104)，其中，所述高温半导体器件(102)包括有源区域(106)和与所述有源区域(106)相邻设置的端接区域(108)；

无机介电绝缘层(130)，所述无机介电绝缘层(130)设置在所述第一表面(104)上，其中，所述无机介电绝缘层(130)填充在整个所述端接区域(108)上延伸的体积，并且包括大于或等于50μm且小于或等于200μm的厚度(144)；以及

电连接器(116)，所述电连接器(116)将所述高温半导体器件(102)的所述有源区域(106)连接到所述器件(100)的附加部件(122)。

2.根据权利要求1所述的器件(100)，其特征在于，其中，所述高温半导体器件(102)包括宽带隙半导体衬底(132)。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的器件(100)，其特征在于，进一步包括设置在所述高温半导体器件(102)上的无机介电封装材料，其中，所述无机介电封装材料由与所述无机介电绝缘层(130)不同的材料构成。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的器件(100)，其特征在于，其中，所述高温半导体器件(102)在垂直于所述第一表面的表面法线的方向上具有宽度(140)，其中，所述无机介电绝缘层(130)在所述第一表面(104)的周向边缘(146)上延伸小于或等于所述宽度(140)的四分之一。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的器件(100)，其特征在于，其中，所述无机介电绝缘层(130)包括无机涂层。

6.根据权利要求5所述的器件(100)，其特征在于，其中，所述无机涂层覆盖所述第一表面(104)和所述电连接器(116)的整体。

7.根据权利要求5-6中任一项所述的器件(100)，其特征在于，其中，所述无机介电绝缘层(130)包括多个无机介电绝缘层(130)，其中，所述多个无机介电绝缘层(130)中的至少两个具有不同的材料特性。

8.根据权利要求5-7中任一项所述的器件(100)，其特征在于，其中，所述无机介电绝缘层进一步包括通过所述无机涂层结合到所述第一表面(104)的介电窗部件(504)。

9.根据权利要求5-8中任一项所述的器件(100)，其特征在于，其中，所述无机涂层包括AlPO₄、CaO-Al₂O₃、MgO-P₂O₅、SiO₂中的至少一个，或其任意组合。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的器件(100)，其特征在于，其中，所述无机介电绝缘层(130)包括大于或等于10kV/mm且小于或等于35kV/mm的介电强度。