[发明专利]高分辨率热电堆红外传感器阵列在审
申请号: | 202110713009.7 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN113390517A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | J·希福尔戴克;B·弗尔格;M·施诺尔;K·施托克;W·莱纳克;M·西蒙 | 申请(专利权)人: | 海曼传感器有限责任公司 |
主分类号: | G01J5/12 | 分类号: | G01J5/12;G01J5/08 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 金辉 |
地址: | 德国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高分辨率 热电 红外传感器 阵列 | ||
1.一种高分辨率热电堆红外传感器阵列,其具有在传感器芯片(SP)上的至少16行16列中布置的像素和单片集成信号处理;
具有用于传感器阵列(TPA)的像素(SE)的信号的多个并行的信号处理通道(K1...KN),
和用于像素(SE)信号输出的数字端口(DIO),
每个信号处理通道(K1...KN)具有至少一个模数转换器(ADC)和低通滤波器,
其中,对于每个信号处理通道(K1...KN),存储器(RAM)中有存储区域,该存储区域用于存储至少一个的模数转换器(ADC)的结果,
其中,在传感器阵列(TPA)中,至少一个像素(SE)连接至信号处理通道(K1...KN),
其中,信号处理通道(K1...KN)的数量为行的数量的至少4倍,
其中,信号处理通道(K1...KN)的一部分设置在像素(SE)之间的中间空间中,信号处理通道(K1...KN)的另一部分与其他电子器件一起设置在传感器阵列(TPA)周围的传感器芯片(SP)的外缘区域,
其中,对于每个具有像素(SE)数a,a>1,的信号处理通道(K1...KN),提供信号复用器(MUX),其用于选择分配给信号处理通道(K1...KN)的传感器阵列(TPA)的像素(SE),
其中,与每个信号处理通道(K1...KN)相关联的至少一个模数转换器(ADC)具有至少10位的分辨率,并且
其中,用于限制噪声带宽的低通滤波和每个信号处理通道(K1...KN)的噪声带宽是根据外部给定或内部给定的母钟使用集成模数转换器(ADC)的帧速率和模数转换器(ADC)的给定帧速率决定的。
2.如权利要求1所述的高分辨率热电堆红外传感器阵列,其特征在于,前置放大器(VV)连接在每个信号处理通道(K1...KN)中的模数转换器(ADC)的上游,其增益系数小于500。
3.如前述权利要求1到2中任一项所述的高分辨率热电堆红外传感器阵列,其特征在于,所述至少一个模数转换器(ADC)根据电荷平衡或Delta-Sigma方法工作。
4.如权利要求1到3中任一项权利要求所述的高分辨率热电堆红外传感器阵列,其特征在于,每个信号处理通道(K1...KN)包含低通滤波器(TPF)以限制噪声带宽,其截止频率至少等于热电堆红外传感器阵列(TPA)的帧速率和每个信号处理通道的像素(SE)数a的乘积(K1...KN)。
5.如权利要求4所述的高分辨率热电堆红外传感器阵列,其特征在于,所述至少一个模数转换器(ADC)是集成的,低通滤波器(TPF)设置在模数转换器(ADC)中。
6.如前述权利要求1中任一项权利要求所述的高分辨率热电堆红外传感器阵列,其特征在于,一部分信号处理通道(K1...KN)与传感器元件(SE)一起布置在传感器芯片(SP)下面的独立芯片上,其中热电堆红外传感器芯片(SP)和独立芯片(ROIC)彼此固定连接。
7.如权利要求1所述的高分辨率热电堆红外传感器阵列,其特征在于,传感器芯片(SP)配置有过孔(TSV),所述过孔(TSV)填充有导电材料,导电材料与传感器芯片(SP)绝缘,并且过孔(TSV)在其端部处连接到传感器芯片(SP)或独立芯片(ROIC)上的导电轨。
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