[发明专利]一种太阳能电池的扩散工艺、制备方法及硅片

权利要求书

1.一种太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，包括：

在扩散炉管内，将制绒后的硅片通入携带三氯氧磷的小氮，在预设第一温度下第一次沉积磷源，并在预设第二温度下通入氧气和大氮进行高温推进得到PN结；

在所述PN结上通入携带三氯氧磷的小氮，第二次沉积磷源，进而在硅片表面形成含低浓度磷源的磷硅玻璃层；

通入大氮对所述磷硅玻璃层进行吹扫，结束扩散，在硅片表面获得含低浓度磷源的发射极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，所述在所述PN结上通入携带三氯氧磷的小氮，第一次沉积磷源，进而在硅片表面形成含低浓度磷源的磷硅玻璃层之前，包括：

通过预设的降温时间1500s～2000s以及预设压力为90mbar～110mbar的条件将扩散炉管内的温度冷却至750℃～770℃。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，所述预设第一温度为750℃～780℃，所述预设第二温度为860℃～870℃。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，所述沉积磷源的沉积时间为8min～14min。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，所述将制绒后的硅片通入携带三氯氧磷的小氮，在预设第一温度下第一次沉积磷源，并在预设第二温度下通入氧气和大氮进行高温推进得到PN结，包括：

通入800sccm～1500sccm的氧气和600sccm～1200sccm的大氮，在温度为750℃～780℃、压力为90mbar～110mbar的条件下在硅片表面形成一层二氧化硅膜；

通入600sccm～1200sccm携带三氯氧磷的小氮、400sccm～1000sccm的氧气和600sccm～1200sccm的大氮，在温度为750℃～780℃、压力为90mbar～110mbar的条件下使磷源第一次沉积在硅片表面，沉积时间为3min～4min；

通入200sccm～600sccm的氧气和600sccm～1200sccm的大氮，在温度为860℃～870℃、压力为90mbar～110mbar的条件下进行高温推进得到PN结，推进时间为12min～18min。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，所述通入携带三氯氧磷的小氮，第二次沉积磷源，进而在硅片表面形成含低浓度磷源的磷硅玻璃层，包括：

通入200sccm～600sccm的氧气、600sccm～1200sccm的大氮和600sccm～1200sccm携带三氯氧磷的小氮，在温度为750℃～780℃、压力为90mbar～110mbar的条件下再次使磷源沉积在硅片表面，沉积时间为7min～15min。

7.一种硅片，适用于太阳能电池，其特征在于，采用如权利要求1～6任一项所述的太阳能电池的扩散工艺制成。

8.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如权利要求1～6任一项所述的太阳能电池的扩散工艺。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括：

对硅片依次进行激光掺杂、刻蚀、退火、背面镀膜、正面镀膜、激光开槽、印刷烧结、电注入与测试分检操作。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述对硅片依次进行激光掺杂、刻蚀、退火、背面镀膜、正面镀膜、激光开槽、印刷烧结、电注入与测试分检操作，包括：

采用激光掺杂的方式，与硅片的接触部位进行重掺杂；

采用硝酸与氟化氢溶液对硅片进行背面抛光，并去除硅片的正面磷硅玻璃层；

对刻蚀后的硅片进行退火，在硅片表面沉积一层二氧化硅层；

通过沉积方法在硅片的背部沉积一层三氧化二铝和氮化硅钝化膜层；

通过沉积方法在硅片的正面生长沉积一层氮化硅膜；

对镀膜后的硅片背面进行激光开槽；

利用丝网印刷对硅片进行背面和正面印刷，然后进行烧结工艺；

通过光衰炉或者电注入炉对硅片进行电注入，得到电池片；

对电池片进行电池测试分档。