[发明专利]带隙基准电路、集成电路、无线电器件和电子设备

权利要求书

1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：

基准电路，包括箝位运算放大器；

启动电路，与所述基准电路电连接，用于启动所述基准电路，以使所述基准电路产生基准信号；以及

偏置电路，分别与所述基准电路和所述启动电路电连接，用于在所述基准电路启动的瞬间，限制流经所述箝位运算放大器的偏置电流。

2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述箝位运算放大器包括偏置电流输入端和运放输出端；

所述启动电路包括启动控制节点；所述启动电路用于根据所述启动控制节点的电位启动所述基准电路；

所述偏置电路分别与所述偏置电流输入端、所述运放输出端和所述启动控制节点电连接，用于在所述运放输出端和所述启动控制节点的电位的控制下，限制提供至所述偏置电流输入端的偏置电流。

3.根据权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述偏置电路包括第一偏置晶体管和第二偏置晶体管；

所述第一偏置晶体管的控制端与所述运放输出端电连接，所述第二偏置晶体管的控制端与所述启动控制节点电连接，且所述第一偏置晶体管与所述第二偏置晶体管串联连接构成偏置电流支路；

其中，在所述基准电路启动的瞬间，所述偏置电流支路用于在所述启动控制节点或所述运放输出端的电位的控制下，限制提供至所述偏置电流输入端的偏置电流。

4.根据权利要求3所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一偏置晶体管与所述第二偏置晶体管串联于第一电源端与第二电源端之间；

所述偏置电路还包括偏置分压单元；所述偏置分压单元串联于所述第一偏置晶体管与所述第二偏置晶体管之间，且所述偏置分压单元中与所述第二偏置晶体管电连接的一端还与所述偏置电流输入端电连接。

5.根据权利要求4所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一偏置晶体管为PMOS晶体管；所述第二偏置晶体管为NMOS晶体管。

6.根据权利要求4所述的带隙基准电路，其特征在于，所述偏置分压单元包括分压电阻、分压二极管和分压晶体管中的至少一种。

7.根据权利要求3所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一偏置晶体管与所述第二偏置晶体管串联于第一电源端与所述偏置电流输入端之间；

所述偏置电路还包括第三偏置晶体管；所述第三偏置晶体管的控制端与所述运放输出端电连接，且所述第三偏置晶体管串连于所述第一电源端与所述偏置电流输入端之间。

8.根据权利要求7所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一偏置晶体管、所述第二偏置晶体管以及所述第三偏置晶体管均为PMOS晶体管。

9.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述启动电路包括启动单元、启动控制单元和启动控制节点；

所述启动单元与所述启动控制单元电连接于所述启动控制节点，还与所述基准电路的启动信号输入端电连接，用于根据所述启动控制节点的电位，向所述启动信号输入端提供启动信号，以启动所述基准电路；

所述启动控制单元与所述基准电路的基准信号输出端电连接，用于根据所述基准信号输出端输出的基准信号，控制所述启动控制节点的电位。

10.根据权利要求9所述的带隙基准电路，其特征在于，所述启动单元包括第一NMOS晶体管；所述启动控制单元包括第二NMOS晶体管；

所述第一NMOS晶体管的栅极与所述第二NMOS晶体管的漏极电连接于所述启动控制节点，所述第一NMOS晶体管的漏极与所述启动信号输入端电连接，所述第一NMOS晶体管的源极接地；

所述第二NMOS晶体管的栅极与所述基准信号输出端电连接，所述第二NMOS晶体管的源极接地。

11.根据权利要求10所述的带隙基准电路，其特征在于，所述启动电路还包括启动分压单元，串联于供电电源与所述启动控制节点之间。