[发明专利]反应腔室、半导体工艺设备及半导体工艺方法

说明书

本申请公开了一种反应腔室、半导体工艺设备及半导体工艺方法，涉及半导体工艺领域。一种反应腔室包括：腔室主体；承载机构，设置在所述腔室主体中，用于承载晶圆；第一传输机构，设置在所述腔室主体中，用于在所述承载机构与所述腔室主体内的第一容纳区域之间传输晶圆；第二传输机构，设置在所述腔室主体中，用于在所述承载机构与所述腔室主体内的第二容纳区域之间传输工艺遮挡件。一种半导体工艺设备包括上述反应腔室。一种半导体工艺方法应用于上述半导体工艺设备。本申请能够解决在进行多种薄膜沉积工艺过程中，由于晶圆多次传入或传出腔室，导致机械手长时间被占而影响产能等问题。

技术领域

本申请属于半导体工艺技术领域，具体涉及一种反应腔室、半导体工艺设备及半导体工艺方法。

背景技术

半导体工艺设备是指通过物理、化学等手段对硅片进行某种处理而完成工艺的设备。半导体工艺设备中对硅片的处理是在一个真空环境下的密闭容器中进行的，该部分称为工艺腔室。除了工艺腔室外，半导体工艺设备还包括传输平台系统，其中，配有大气机械手和真空机械手，负责将硅片准确地传输至各个工艺腔室中。物理气相沉积技术是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制造技术。在集成电路制造行业中，磁控溅射技术是集成电路制造过程中一道非常重要的工艺流程，主要应用于芯片中各类薄膜的沉积。

一些物理气相沉积工艺腔室，主要包括腔室、用于承接晶圆的基座、顶针和用于传输挡板的旋转机构，然而，在进行多种薄膜沉积工艺过程中，需要通过机械手多次将晶圆传出腔室和传入腔室，从而造成机械手被长时间占用，不利于产能提升，且不能很好地满足高效的工艺需求。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种反应腔室、半导体工艺设备及半导体工艺方法，能够解决在进行多种薄膜沉积工艺过程中，由于晶圆多次传入或传出腔室，导致机械手长时间被占而影响产能等问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供了一种反应腔室，用于半导体工艺设备中，该反应腔室包括：

腔室主体；

承载机构，设置在所述腔室主体中，用于承载晶圆；

第一传输机构，设置在所述腔室主体中，用于在所述承载机构与所述腔室主体内的第一容纳区域之间传输晶圆；

第二传输机构，设置在所述腔室主体中，用于在所述承载机构与所述腔室主体内的第二容纳区域之间传输工艺遮挡件。

第二方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，该半导体工艺设备包括上述反应腔室。

第三方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺方法，该半导体工艺方法包括：

通过所述第一传输机构将完成第一种工艺的晶圆自所述承载机构传输至所述第一容纳区域；

通过所述第二传输机构将工艺遮挡件自所述第二容纳区域传输至所述承载机构；

转换工艺状态；

通过所述第二传输机构将所述工艺遮挡件自所述承载机构传输至所述第二容纳区域；

通过所述第一传输机构将所述晶圆自所述第一容纳区域传输至所述承载机构，以进行第二种工艺。

在本申请实施例中，通过第一传输机构可以在承载机构与第一容纳区域之间传输晶圆，通过第二传输机构在承载机构与第二容纳区域之间传输工艺遮挡件。如此，在进行多种薄膜沉积工艺而需要在多种工艺状态之间转换时，无需机械手多次将晶圆传出和传入腔室主体，从而不会造成机械手长时间被占用，进而提高了整机的作业效率，进一步提升了产能。

附图说明

图1为本申请实施例公开的反应腔室的主视示意图；

图2为本申请实施例公开的反应腔室的俯视示意图；