[发明专利]启动电路在审

专利信息
申请号: 202110714697.9 申请日: 2021-06-25
公开(公告)号: CN113342114A 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 李威 申请(专利权)人: 上海料聚微电子有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤
地址: 201203 上海市浦东新区中国(上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 启动 电路
【权利要求书】:

1.一种启动电路,其特征在于,包括:

输入端、输出端、第一电阻单元、及控制单元,

所述第一电阻单元包括第一端、第二端、及控制端,所述第一电阻单元的控制端连接至外部电路,将外部电路的启动情况作为反馈信号,根据反馈信号调整第一电阻单元的状态;

所述控制单元包括第一端、第二端、及第三端,所述控制单元的第一端连接至所述第一电阻单元的第二端,所述控制单元的第二端作为所述启动电路的输出端连接至外部电路,所述控制单元的第三端连接至所述第一电阻单元的控制端。

2.根据权利要求1所述的启动电路,其特征在于,所述第一电阻单元是由第一晶体管构成的伪电阻结构,所述第一晶体管的栅极作为第一电阻单元的控制端。

3.根据权利要求1所述的启动电路,其特征在于,所述第一电阻单元是由多个晶体管组成的伪电阻结构,所述多个晶体管的栅极共同连接作为第一电阻单元的控制端。

4.根据权利要求3所述的启动电路,其特征在于,所述第一电阻单元包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、及第四PMOS晶体管;

所述第一PMOS晶体管的源极作为第一电阻单元的第一端连接至外部电源,所述第二PMOS晶体管的源极连接至所述第一PMOS晶体管的漏极,所述第三PMOS晶体管的源极连接至所述第二PMOS晶体管的漏极,所述第四PMOS晶体管的源极连接至所述第三PMOS晶体管的漏极,所述第四PMOS晶体管的漏极作为所述第一电阻单元的第二端;

所述第一PMOS晶体管的栅极、第二PMOS晶体管的栅极、及第三PMOS晶体管的栅极与第四PMOS晶体管的栅极连接作为所述第一电阻单元的控制端。

5.根据权利要求1所述的启动电路,其特征在于,所述控制单元包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管;

所述第一NMOS晶体管的源极作为所述控制单元的第一端,栅极作为所述控制单元的第三端;

所述第二NMOS晶体管的栅极连接至所述第一NMOS晶体管的源极,源极作为所述控制单元的第二端。

6.根据权利要求5所述的启动电路,其特征在于,所述第一NMOS晶体管的漏极及第二NMOS晶体管的漏极连接至地。

7.根据权利要求1所述的启动电路,其特征在于,所述控制单元包括第一控制单元及第二控制单元;

所述第一控制单元由多个NMOS晶体管组成,所述第一控制单元包括第一端、第二端、及第三端,所述第一控制单元的第三端连接至地,所述第一控制单元的第二端作为所述控制单元的第三端;

所述第二控制单元由多个NMOS晶体管组成,所述第二控制单元包括第一端、第二端、及第三端,所述第二控制单元的第一端连接至所述第一控制单元的第一端作为所述控制单元的第一端,所述第二控制单元的第三端连接至地,所述第二控制单元的第二端作为所述控制单元的第二端。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海料聚微电子有限公司,未经上海料聚微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110714697.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top