[发明专利]启动电路在审
申请号: | 202110714697.9 | 申请日: | 2021-06-25 |
公开(公告)号: | CN113342114A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 李威 | 申请(专利权)人: | 上海料聚微电子有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 启动 电路 | ||
1.一种启动电路,其特征在于,包括:
输入端、输出端、第一电阻单元、及控制单元,
所述第一电阻单元包括第一端、第二端、及控制端,所述第一电阻单元的控制端连接至外部电路,将外部电路的启动情况作为反馈信号,根据反馈信号调整第一电阻单元的状态;
所述控制单元包括第一端、第二端、及第三端,所述控制单元的第一端连接至所述第一电阻单元的第二端,所述控制单元的第二端作为所述启动电路的输出端连接至外部电路,所述控制单元的第三端连接至所述第一电阻单元的控制端。
2.根据权利要求1所述的启动电路,其特征在于,所述第一电阻单元是由第一晶体管构成的伪电阻结构,所述第一晶体管的栅极作为第一电阻单元的控制端。
3.根据权利要求1所述的启动电路,其特征在于,所述第一电阻单元是由多个晶体管组成的伪电阻结构,所述多个晶体管的栅极共同连接作为第一电阻单元的控制端。
4.根据权利要求3所述的启动电路,其特征在于,所述第一电阻单元包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、及第四PMOS晶体管;
所述第一PMOS晶体管的源极作为第一电阻单元的第一端连接至外部电源,所述第二PMOS晶体管的源极连接至所述第一PMOS晶体管的漏极,所述第三PMOS晶体管的源极连接至所述第二PMOS晶体管的漏极,所述第四PMOS晶体管的源极连接至所述第三PMOS晶体管的漏极,所述第四PMOS晶体管的漏极作为所述第一电阻单元的第二端;
所述第一PMOS晶体管的栅极、第二PMOS晶体管的栅极、及第三PMOS晶体管的栅极与第四PMOS晶体管的栅极连接作为所述第一电阻单元的控制端。
5.根据权利要求1所述的启动电路,其特征在于,所述控制单元包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管;
所述第一NMOS晶体管的源极作为所述控制单元的第一端,栅极作为所述控制单元的第三端;
所述第二NMOS晶体管的栅极连接至所述第一NMOS晶体管的源极,源极作为所述控制单元的第二端。
6.根据权利要求5所述的启动电路,其特征在于,所述第一NMOS晶体管的漏极及第二NMOS晶体管的漏极连接至地。
7.根据权利要求1所述的启动电路,其特征在于,所述控制单元包括第一控制单元及第二控制单元;
所述第一控制单元由多个NMOS晶体管组成,所述第一控制单元包括第一端、第二端、及第三端,所述第一控制单元的第三端连接至地,所述第一控制单元的第二端作为所述控制单元的第三端;
所述第二控制单元由多个NMOS晶体管组成,所述第二控制单元包括第一端、第二端、及第三端,所述第二控制单元的第一端连接至所述第一控制单元的第一端作为所述控制单元的第一端,所述第二控制单元的第三端连接至地,所述第二控制单元的第二端作为所述控制单元的第二端。
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