[发明专利]一种电压检测电路、电源系统及芯片

权利要求书

1.一种电压检测电路，其特征在于，包括：第一降压子电路、第二降压子电路及第一稳压子电路，其中：

所述第一降压子电路与所述第二降压子电路串联连接；所述第一降压子电路的另一端与所述电压检测电路的第一端口连接；所述第二降压子电路的另一端与所述电压检测电路的第二端口连接；

所述第一稳压子电路，一端与所述电压检测电路的第三端口连接，另一端与所述电压检测电路的第二端口连接，适于在所述第三端口的电压高于所述第二端口的电压时正向导通，在所述第三端口的电压低于所述第二端口的电压时反向稳压；

当所述第一降压子电路对输入电压进行降压时，所述第二降压子电路呈短路状态；当所述第二降压子电路对输入电压进行降压时，所述第一降压子电路呈短路状态。

2.如权利要求1所述的电压检测电路，其特征在于，所述第一降压子电路包括：第一结型场效应管；

所述第一结型场效应管的漏端与所述第一端口连接；所述第一结型场效应管的源端与所述第二降压子电路连接；所述第一结型场效应管的栅端与所述第一结型场效应管的源端连接。

3.如权利要求2所述的电压检测电路，其特征在于，所述第一降压子电路还包括：第一限流组件；

所述第一限流组件的一端与所述第一结型场效应管的源端连接，另一端与所述第二降压子电路以及所述第一结型场效应管的栅端连接。

4.如权利要求3所述的电压检测电路，其特征在于，所述第一限流组件包括：第一电阻。

5.如权利要求3所述的电压检测电路，其特征在于，所述第一限流组件包括：第一电阻、第一二极管及第一NMOS管；所述第一电阻的一端与所述第一结型场效应管的源端以及所述第一NMOS管的漏端连接，另一端与所述第一NMOS管的栅端连接；所述第一NMOS管与所述第二降压子电路连接；所述第一二极管的阳极与所述第一结型场效应管的栅端及所述第一NMOS管的源端连接，所述第一二极管的阴极与所述第一NMOS管的栅端连接。

6.如权利要求1所述的电压检测电路，其特征在于，所述第二降压子电路包括：第二结型场效应管；

所述第二结型场效应管的源端与所述第一降压子电路连接；所述第二结型场效应管的栅端与所述第二结型场效应管的源端连接；所述第二结型场效应管的漏端与所述第二端口连接。

7.如权利要求6所述的电压检测电路，其特征在于，所述第二降压子电路还包括：第二限流组件；

所述第二限流组件的一端与所述第二结型场效应管的源端连接，另一端与所述第一降压子电路以及所述第二结型场效应管的栅端连接。

8.如权利要求7所述的电压检测电路，其特征在于，所述第二限流组件包括：第二电阻。

9.如权利要求7所述的电压检测电路，其特征在于，所述第二限流组件还包括：第二电阻、第二二极管及第二NMOS管；

所述第二电阻的一端与所述第二结型场效应管的源端以及第二NMOS管的漏端连接，另一端与所述第二NMOS管的栅端连接；所述第二NMOS管与所述第一降压子电路连接；所述第二二极管的阳极与所述第二结型场效应管的栅端及所述第二NMOS管的源端连接，所述第二二极管阴极与所述第二NMOS管的栅端连接。

10.如权利要求1至9任一项所述的电压检测电路，其特征在于，还包括：第二稳压子电路；所述第二稳压子电路，一端与所述电压检测电路的第四端口连接，另一端与所述第一端口连接，适于在所述第四端口的电压高于所述第一端口的电压时正向导通。

11.如权利要求10所述的电压检测电路，其特征在于，所述第一稳压子电路为第三二极管，所述第二稳压子电路为第四二极管。

12.一种电源系统，其特征在于，包括权利要求1至11任一项所述的电压检测电路。

13.一种芯片，其特征在于，权利要求1至11任一项所述的电压检测电路集成于所述芯片内。