[发明专利]一种半导体芯片晶圆棒转移分切装置

说明书

一种半导体芯片晶圆棒转移分切装置，包括：支撑体，包括柜体，柜体下端两侧均安装有一对调节机构；上料组件，设于支撑体的一端，包括上移机构，上移机构设有一对放置机构；转移组件，设于支撑体的上端，包括平移机构，平移机构设有一对升降机构，升降机构的下端均设有夹持机构；夹持组件，设于支撑体的上端，包括下夹构件，下夹构件的一侧设有下压机构，下压机构的上端设有翻转机构，翻转机构安装有上夹构件；分切组件，设于支撑体的上端，包括进给机构，进给机构设有分切机构。本发明方便进行晶圆棒的分切操作，提高晶圆棒分切自动化程度、分切效率、分切精度，方便进行晶圆棒的自动转移，方便进行晶圆棒的夹持定位，提高了晶圆盘分切的品质。

技术领域

本发明涉及芯片晶圆加工相关技术领域，尤其涉及一种半导体芯片晶圆棒转移分切装置。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。

一般地常见的硅晶圆生产过程包括：硅提炼及提纯、单晶硅生长以及晶圆成型，其中，硅的提纯是第一道工序，需将沙石原料放入一个温度超过两千摄氏度的并有碳源的电弧熔炉中，在高温下发生还原反应得到冶金级硅，然后将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢反应，生成液态的硅烷，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅。一般地常用的是直拉法，高纯度的多晶硅放在石英坩埚中，并用外面围绕着的石墨加热器不断加热，温度维持在大约一千多摄氏度，炉中的空气通常是惰性气体，使多晶硅熔化，同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅，还需要控制晶体的方向，坩埚带着多晶硅熔化物在旋转，把一颗籽晶浸入其中，并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。用直拉法生长后，单晶棒将按适当的尺寸进行切割，然后进行研磨，再用化学机械抛光工艺使对其表面进行抛光，抛光完成后制得的为晶圆盘。

现有技术在进行晶圆盘的分切时，存在着分切效率较低，同时在进行晶圆棒分切时不方便进行晶圆的转移，在转移是容易对晶圆棒造成损伤，从而影响晶圆盘的质量等问题；同时，在进行晶圆棒的分切时不方便进行晶圆棒的夹持，从而导致分切精度降低，影响分切质量，甚至造成废品率提高。

发明内容

本发明提供一种半导体芯片晶圆棒转移分切装置，以解决上述现有技术的不足，方便进行晶圆棒的分切操作，提高了晶圆棒分切的自动化程度和分切效率以及分切时的精度，方便进行晶圆棒的自动转移，方便进行晶圆棒的夹持定位，提高了晶圆盘分切的品质，具有较强的实用性。

为了实现本发明的目的，拟采用以下技术：

一种半导体芯片晶圆棒转移分切装置，包括：

支撑体，包括柜体，柜体下端两侧均安装有一对调节机构；

上料组件，设于支撑体的一端，包括上移机构，上移机构设有一对放置机构；

转移组件，设于支撑体的上端，包括平移机构，平移机构设有一对升降机构，升降机构的下端均设有夹持机构；

夹持组件，设于支撑体的上端，包括下夹构件，下夹构件的一侧设有下压机构，下压机构的上端设有翻转机构，翻转机构安装有上夹构件；

分切组件，设于支撑体的上端，包括进给机构，进给机构设有分切机构；

调节机构用于调节柜体的平衡度，上料组件用于带动晶圆棒向上移动，转移组件用于夹持被上料组件转移至上端的晶圆棒，并将晶圆棒转移至夹持组件处，夹持组件用于晶圆棒的夹持定位，分切组件用于晶圆棒的分切。

进一步地，柜体包括控制柜，控制柜的一侧开口，控制柜的开口侧通过铰链连接有启闭门，启闭门设有把手，控制柜的上端设有工作平台；