[发明专利]一种AlGaN基紫外激光器的生长方法有效
| 申请号： | 202110716151.7 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113445130B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 王军喜;王大地;郭亚楠;刘志彬;闫建昌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/68 | 分类号： | C30B29/68;C30B23/02;C30B25/02;C30B29/40;C30B33/02;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 algan 紫外 激光器 生长 方法 | ||
1.一种AlGaN基紫外激光器的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：在蓝宝石衬底上沉积AlN模板层，并进行高温退火处理，在所述AlN层上同质外延一层AlN恢复层；
步骤2：将所述AlN模板层转移至MOCVD腔室，并生长AlGaN赝晶层；
步骤3：对所述AlGaN赝晶层进行原位热处理，以获得粗化的AlGaN赝晶层；
步骤4：在所述粗化的AlGaN赝晶层上，生长AlGaN厚膜，实现表面合并；其中，所述AlGaN赝晶层的Al组分不高于所述AlGaN厚膜的Al组分；
步骤5：在所述AlGaN厚膜上生长nAlGaN光限制层、uAlGaN下波导层、uAlGaN/uAlGaN量子阱有源层、电子阻挡层、uAlGaN上波导层、pAlGaN光限制层、p型接触层；
其中，所述AlN恢复层的外延温度为1100~1300℃，所述AlN模板层的高温退火条件为1500℃~1800℃，以及氮气气氛。
2.根据权利要求1所述的AlGaN基紫外激光器的生长方法，其特征在于，在所述步骤1中的所述AlN模板层的沉积方法包括磁控溅射、MOCVD、MBE。
3.根据权利要求1所述的AlGaN基紫外激光器的生长方法，其特征在于，所述AlN模板层的厚度为10nm~2μm。
4.根据权利要求1所述的AlGaN基紫外激光器的生长方法，其特征在于，所述AlGaN赝晶层的厚度为10nm~300nm。
5.根据权利要求1所述的AlGaN基紫外激光器的生长方法，其特征在于，在所述步骤3中所述AlGaN赝晶层的原位热处理温度为1000~1300℃，所用气氛为氢气。
6.根据权利要求1所述的AlGaN基紫外激光器的生长方法，其特征在于，在所述步骤4中所述AlGaN厚膜的厚度为1μm-10μm。
7.根据权利要求1所述的AlGaN基紫外激光器的生长方法，其特征在于，在所述步骤2与所述步骤4中生长的AlGaN均非故意掺杂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110716151.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
