[发明专利]铟铁凸点复合微晶压电盘有效
| 申请号： | 202110717052.0 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113517389B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 林绍义;林雪莲;林逸彬 | 申请（专利权）人： | 福建船政交通职业学院 |
| 主分类号： | H10N30/85 | 分类号： | H10N30/85 |
| 代理公司： | 福州智理专利代理有限公司 35208 | 代理人： | 康永辉 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铟铁凸点 复合 压电 | ||
1.铟铁凸点复合微晶压电盘, 其特征在于:铟铁凸点复合微晶压电盘是在压电盘零件表面设一含铟超过60%( Wt%)且含铁超过8%( Wt%)且含铟和铁共超过70%( Wt%)的复合材料层，在复合材料层表面设有许多个凸点微晶，每个凸点微晶高度大于100nm且小于500μm、直径大于100nm且小于500μm的顶部为球状或近似球状、含铟超过60%( Wt%)且含铁超过8%( Wt%)且含铟和铁共超过70%( Wt%)，凸点微晶与复合材料层成为一体；零件表面的复合材料层和基体材料成为一体；去除各小孔附着的材料层，形成铟铁凸点复合微晶压电盘。
2.铟铁凸点复合微晶压电盘, 其特征在于：在压电盘零件的相应表面进行磨削加工、清洁、除油、除锈后，进行精磨、抛光、超声波清洗、干燥后，在压电盘零件的内孔底面表面设一含铟超过60%( Wt%)且含铁超过8%( Wt%)且含铟和铁共超过70%( Wt%)的复合材料层，在复合材料层表面设有许多个凸点微晶，每个凸点微晶高度大于100nm且小于500μm、直径大于100nm且小于500μm的顶部为球状或近似球状、含铟超过60%( Wt%)且含铁超过8%( Wt%)且含铟和铁共超过70%( Wt%)，凸点微晶与复合材料层成为一体；零件表面的复合材料层和基体材料成为一体；去除各小孔附着的材料层，形成铟铁复合凸点微晶压电盘。
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