[发明专利]半绝缘性砷化镓晶体基板

说明书

本发明涉及一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×10⁷Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。

本申请是申请日为2017年9月21日、国际申请号为PCT/JP2017/034096、中国申请号为201780094136.5的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半绝缘性砷化镓晶体基板。

背景技术

诸如半绝缘性砷化镓晶体基板的半绝缘性化合物半导体基板需要具有在微区域(ミクロ領域)中的平坦性(在下文中也被称为微平坦性)得到改善的主表面以有助于使得直接改善半导体器件的性能的结构的微细化和复杂化。基板的主表面的微平坦性不仅受到在对基板进行抛光时所施加的条件的影响，而且还受到基板的物理性能的影响。具体地，为了改善基板的主表面的微平坦性，重要的是，基板的主表面具有在微区域中均匀分布(在下文中也被称为微分布等)的比电阻。

从获得具有其中比电阻在微区域中均匀分布(或微分布)并且因此具有高微平坦性的主表面的半绝缘性砷化镓基板的观点来看，T.Kawase等,“通过垂直晶舟法制造的6英寸半绝缘性GaAs基板的性能”,GaAs ManTech1999,1999年4月,第19-22页(非专利文献1)公开了一种半绝缘性砷化镓基板，其中沿80mm的长度从基板的中心朝向基板的外周以100μm的间距设置的微区域中的比电阻的变异系数为0.073(需要说明的是，所述变异系数通过用微区域中的比电阻的标准偏差除以该区域中的比电阻的平均值而得到)。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：T.Kawase等,“通过垂直晶舟法制造的6英寸半绝缘性GaAs基板的性能”,GaAs ManTech1999,1999年4月,第19-22页。

发明内容

根据本公开的一个方面，一种半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R-17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×10⁷Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。

附图说明

图1为示出根据一个实施方式的半绝缘性砷化镓晶体基板的实例的示意性平面图。

图2为示出根据本实施方式的半绝缘性砷化镓晶体基板的比电阻的测量方法的实例的示意性剖面图。

图3为示出用于制造根据本实施方式的半绝缘性砷化镓晶体基板的装置的实例的示意图。

图4为示出用于制造根据本实施方式的半绝缘性砷化镓晶体基板的装置的另一实例的示意图。

图5为示出用于制造根据本实施方式的半绝缘性砷化镓晶体基板的装置的又一实例的示意图。

具体实施方式

[本公开要解决的问题]