[发明专利]晶片去胶方法

权利要求书

1.一种晶片去胶方法，其特征在于，所述晶片去胶方法包括依次以下步骤：

提供表面覆盖有光刻胶的晶片，所述光刻胶中嵌入有碎晶屑；

使得所述晶片以第一转速旋转；

向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑；

向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液，使得所述稀释液溶解剩余光刻胶，去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑。

2.如权利要求1所述的晶片去胶方法，其特征在于，所述使得所述晶片以第一转速旋转旋转的步骤中，所述第一转速旋转的转速范围为第一转速可以为50至2000转/分钟。

3.如权利要求1所述的晶片去胶方法，其特征在于，所述向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑的步骤，包括：

以1000ml/min至1400ml/min的流速，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑。

4.如权利要求3所述的晶片去胶方法，其特征在于，所述以1000ml/min至1400ml/min的流速，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑的步骤，包括：

以1000ml/min至1400ml/min的流速，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲洗光刻显影液，冲洗时间为120秒至150秒，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑。

5.如权利要求1所述的晶片去胶方法，其特征在于，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液，使得所述稀释液溶解剩余光刻胶，去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑的步骤，包括：

以60ml/min至100ml/min的流速，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液，使得所述稀释液溶解剩余光刻胶，去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑。

6.如权利要求1所述的晶片去胶方法，其特征在于，所述以60ml/min至100ml/min的流速，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液，使得所述稀释液溶解剩余光刻胶，去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑的步骤，包括：

以60ml/min至100ml/min的流速，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲洗稀释液，冲洗时间为200秒至300秒，使得所述稀释液溶解剩余光刻胶，去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑。

7.如权利要求1所述的晶片去胶方法，其特征在于，所述稀释液的成分包括：丙二醇甲醚和丙二醇甲醚醋酸酯。