[发明专利]一种含有聚酰亚胺/含氟聚合物/导电高分子的高频高速挠性覆铜板及其制备方法在审
申请号: | 202110718292.2 | 申请日: | 2021-06-28 |
公开(公告)号: | CN113910715A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 张云;李锦春;李炳健;丁荣华;李建革;陈宇峰;郭祥;雷伟;花金旦 | 申请(专利权)人: | 江苏泛亚微透科技股份有限公司 |
主分类号: | B32B27/28 | 分类号: | B32B27/28;B32B27/32;B32B15/08;B32B15/20;B32B27/06;B32B33/00 |
代理公司: | 常州格策知识产权代理事务所(普通合伙) 32481 | 代理人: | 翟丹丹 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 含有 聚酰亚胺 聚合物 导电 高分子 高频 高速 挠性覆 铜板 及其 制备 方法 | ||
1.一种含有聚酰亚胺/含氟聚合物/导电高分子的高频高速挠性覆铜板,其特征在于,包括:
聚酰亚胺/含氟聚合物薄膜层,包括聚酰亚胺绝缘层和含氟聚合物绝缘保护层,含氟聚合物绝缘保护层设于聚酰亚胺绝缘层两侧,形成两侧均具有无胶系粘接功能的绝缘基材;
导电高分子/电解铜箔层包括铜箔层和导电高分子层复合形成,所述铜箔层为进行粗化和脱脂工艺处理的电解铜箔;导电高分子层为掺杂质子化态导电高分子溶液在电解铜箔表面形成的薄膜层;将导电高分子层与所述绝缘基材的单侧或两侧复合连接,形成对称或非对称高频高速挠性覆铜板。
2.根据权利要求1所述的含有聚酰亚胺/含氟聚合物/导电高分子的高频高速挠性覆铜板,其特征在于,高频高速挠性覆铜板厚度为40μm~400μm。
3.根据权利要求1所述的含有聚酰亚胺/含氟聚合物/导电高分子的高频高速挠性覆铜板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)对电解铜箔单侧表面进行粗化工艺和脱脂工艺处理,脱去铜箔表面和铜原子内部的油脂,再清洗电解铜箔单侧表面;
(2)将掺杂质子化态导电高分子溶解在N-甲基吡咯烷酮NMP溶剂中,配制成导电高分子溶液,涂敷在所述步骤(1)制备得到的电解铜箔表面,再经过干燥固化成膜,制备成由导电高分子薄膜修饰的电解铜箔的导电高分子/电解铜箔复合材料;
(3)对聚酰亚胺薄膜进行表面化学修饰处理制备官能化聚酰亚胺薄膜,将含氟聚合物乳液涂敷在官能化聚酰亚胺薄膜上,再高温烧结和固化成膜,制备成聚酰亚胺/含氟聚合物绝缘复合薄膜;
(4)将步骤(2)得到的掺杂质子化态导电高分子/铜箔复合材料与步骤(3)得到的聚酰亚胺/含氟聚合物绝缘复合薄膜进行连接,制备得高频高速挠性覆铜板。
4.根据权利要求3所述的含有聚酰亚胺/含氟聚合物/导电高分子的高频高速挠性覆铜板的制备方法,其特征在于,步骤(1)中采用丙酮/乙醇混合溶剂清洗电解铜箔单侧表面,其中,丙酮/乙醇混合溶剂中丙酮:乙醇=1vol:1vol;铜原子内部的油脂含量≤8ppm。
5.根据权利要求3所述的含有聚酰亚胺/含氟聚合物/导电高分子的高频高速挠性覆铜板的制备方法,其特征在于,步骤(2)中掺杂质子化态导电高分子为掺杂质子化态聚苯胺PANI、聚乙炔PA、聚吡咯PPy和聚噻吩PTh一种或多种复配。
6.根据权利要求3所述的含有聚酰亚胺/含氟聚合物/导电高分子的高频高速挠性覆铜板的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,导电高分子溶液中固含量≥30%。
7.根据权利要求3所述的含有聚酰亚胺/含氟聚合物/导电高分子的高频高速挠性覆铜板的制备方法,其特征在于,步骤(3)中涂敷是采用高精密表面可控涂敷技术。
8.根据权利要求3所述的含有聚酰亚胺/含氟聚合物/导电高分子的高频高速挠性覆铜板的制备方法,其特征在于,步骤(3)中含氟聚合物乳液包括:聚四氟乙烯PTFE层或聚四氟乙烯/四氟乙烯-六氟丙烯共聚物PTFE/FEP复合材料层或聚四氟乙烯/全氟丙基全氟乙烯基醚-聚四氟乙烯共聚物PTFE/PFA复合材料层或聚四氟乙烯/乙烯-四氟乙烯共聚物PTFE/ETFE复合材料层或聚四氟乙烯/聚偏氟乙烯PTFE/PVDF复合材料层。
9.根据权利要求3所述的含有聚酰亚胺/含氟聚合物/导电高分子的高频高速挠性覆铜板的制备方法,其特征在于,步骤(4)中的连接技术使超声波高频焊接技术。
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