[发明专利]一种提高输出电压范围的电路在审
申请号: | 202110718329.1 | 申请日: | 2021-06-28 |
公开(公告)号: | CN113325913A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 沈泽良 | 申请(专利权)人: | 绍兴芯动半导体有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 312000 浙江省绍兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 输出 电压 范围 电路 | ||
1.一种提高输出电压范围的电路,其特征在于:利用有源和无源器件,扩展运算放大器的外围电路,实现运算放大器提高输出电压范围的设计,并且实现扩展后电路的幅频特性与原运算放大器的幅频特性基本一致的设计。
2.按照权利要求1所述的一种提高输出电压范围的电路,其特征在于:由有源器件,运算放大器,直流偏置电路,频率补偿电路,反馈电路,输入输出电路构成。
3.按照权利要求2所述的一种提高输出电压范围的电路,其特征在于: 所述电路结构包含第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一稳压管D1、第二稳压管D2、第三稳压管D3、第四稳压管D4、第一运算放大器(AMP1),第一MOS管Q1的栅极通过第二电阻R2连接到第二稳压管D2的负端,第一MOS管Q1的漏极连接到V+,并通过R1连接到第二稳压管D2的负端,第一MOS管Q1的源极连接到第一运算放大器(AMP1)的正电源输入端和第一稳压管D1的负端,并通过第二电容C2连接到第一运算放大器(AMP1)的负电源输入端,第二MOS管Q2的栅极通过第五电阻R5连接到第四稳压管D4的正端,第二MOS管的漏极连接到V-,并通过R7连接到第四稳压管D4的正端,第二MOS管的源极连接到第一运算放大器(AMP1)的负电源输入端和第三稳压管D3的正端,第一运算放大器(AMP1)的正信号输入端接Vin,负信号输入端通过第六电阻R6连接到Vout并和第二稳压管D2的正端,第四稳压管D4的负端相连,还通过第八电阻R8接地,第一运算放大器(AMP1)的输出端连接第一稳压管D1的正端,第三稳压管D3的负端,并通过第三电阻R3连接到Vout,第一电容C1一端接第二稳压管D2的正端,另一端连接到第二稳压管D2的负端;第四电容4一端接第四稳压管D4的正端,另一端连接到第四稳压管D4的负端,第四电阻R4一端连接到Vout,另一端通过第三电容C3接地。
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