[发明专利]一种激发环偶极子法诺共振的全介质超表面传感器有效
| 申请号： | 202110718406.3 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113484943B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 杜庆国;刘欣欣;李政颖;王原丽 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02B1/00;G01N21/41 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 胡琦旖 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激发 偶极子 共振 介质 表面 传感器 | ||
1.一种激发环偶极子法诺共振的全介质超表面传感器，其特征在于，包括：基底和全介质超表面结构阵列；
所述全介质超表面结构阵列包括若干个全介质超表面单元结构，若干个所述全介质超表面单元结构周期性地排列在所述基底上；
所述全介质超表面单元结构包括第一矩形块、第二矩形块和第三矩形块；所述第一矩形块的长边与X轴负方向之间形成第一夹角，所述第二矩形块与所述第三矩形块分别设置在所述第一矩形块的两侧，所述第二矩形块的长边、所述第三矩形块的长边分别垂直于所述第一矩形块的长边，所述第二矩形块与所述第三矩形块关于所述全介质超表面单元结构的中心点呈180°旋转对称；
所述第一矩形块的中心长轴的垂直平分线与所述第二矩形块的中心长轴之间的距离为第一距离，所述第一矩形块的中心长轴的垂直平分线与所述第三矩形块的中心长轴之间的距离为第二距离，所述第一距离与所述第二距离相等；
所述全介质超表面单元结构沿X轴和Y轴的排布周期相等，所述排布周期的取值范围为500-1000nm；所述第一夹角的取值范围为30°-150°，所述第一距离的取值范围为80-150nm；
所述第一矩形块具有第一长度、第一宽度、第一厚度；所述第二矩形块与所述第三矩形块的尺寸相同，所述第二矩形块具有第二长度、第二宽度、第二厚度；所述第一厚度与所述第二厚度相同；
所述第一长度的取值范围为550-1050nm，所述第一宽度的取值范围为50-150nm，所述第二长度的取值范围为180-250nm，所述第二宽度的取值范围为80-200nm，所述第一厚度的取值范围为15-120nm。
2.根据权利要求1所述的激发环偶极子法诺共振的全介质超表面传感器，其特征在于，所述全介质超表面单元结构采用硅材料制备而成。
3.根据权利要求1所述的激发环偶极子法诺共振的全介质超表面传感器，其特征在于，所述基底的材料为玻璃。
4.根据权利要求1所述的激发环偶极子法诺共振的全介质超表面传感器，其特征在于，通过调节所述排布周期以调节所述全介质超表面传感器的工作波长。
5.根据权利要求1所述的激发环偶极子法诺共振的全介质超表面传感器，其特征在于，所述全介质超表面传感器的工作波长的范围为720-1450nm。
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