[发明专利]批处理式离子注入方法在审
| 申请号： | 202110719090.X | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113539803A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 施志明;李文军;孙建军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 批处理 离子 注入 方法 | ||
1.一种批处理式离子注入方法，其特征在于，所述方法包括：
将晶圆传送至批处理离子注入机的工艺腔内，所述晶圆表面涂布有光刻胶；
对所述晶圆进行第一步离子注入，令所述晶圆表面的光刻胶释放气体，且所述批处理离子注入机的工艺腔内的气压在预定范围内；
当所述批处理离子注入机的工艺腔内的气压满足气压稳定条件时，对所述晶圆进行第二步离子注入；
其中，第一步离子注入时的束流小于第二步离子注入时的束流，第一步离子注入时的注入剂量小于第二步离子注入时的注入剂量，第一步离子注入的注入剂量与第二步离子注入的注入剂量之和等于目标剂量。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一步离子注入的注入能量和第二步离子注入的注入能量相同。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述气压稳定条件为气压达到预定压力且持续预定时间。
4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，在进行第一步离子注入和第二步离子注入时，监控所述批处理离子注入机的工艺腔内的气压。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一步离子注入时的注入剂量为所述目标剂量的5％，第二步离子注入时的注入剂量为所述目标剂量的95％。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一步离子注入时的束流大小为1mA至2mA。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行第一步离子注入和第二步离子注入时，通过泵组抽出所述批处理离子注入机的工艺腔内的气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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