[发明专利]氦离子化检测器及其制备方法

权利要求书

1.一种氦离子化检测器，其特征在于，所述氦离子化检测器包括：

衬底，所述衬底中具有腔室，所述腔室包括激发电极沟道、进气沟道及出气沟道，所述激发电极沟道与所述出气沟道相连通构成第一交汇区，所述进气沟道与所述出气沟道相连通构成第二交汇区；

激发电极对，所述激发电极对位于所述激发电极沟道中，且所述激发电极对的激发电极区位于所述第一交汇区；

进气管，所述进气管位于所述进气沟道中，所述进气管包括第一进气管及第二进气管，所述第一进气管及第二进气管具有相同形貌且相向设置，以分别向所述第二交汇区提供具有相同压强的辅助载气及样品载气；

偏置电极及收集电极，所述偏置电极及收集电极位于所述出气沟道中，且设置于所述第二交汇区外侧远离所述第一交汇区处。

2.根据权利要求1所述的氦离子化检测器，其特征在于：所述激发电极沟道包括第一激发电极沟道及第二激发电极沟道，且所述第一激发电极沟道及第二激发电极沟道相向设置位于所述出气沟道的两侧；所述进气沟道包括第一进气沟道及第二进气沟道，且所述第一进气沟道及第二进气沟相向设置位于所述出气沟道的两侧。

3.根据权利要求1所述的氦离子化检测器，其特征在于：所述腔室的截面形貌包括以所述出气沟道作为对称轴的“干”字形，在所述腔室中，所述第一交汇区为载气最高密度区且为载气最低流速区。

4.根据权利要求1所述的氦离子化检测器，其特征在于：所述衬底包括半导体衬底及玻璃衬底中的一种或组合。

5.根据权利要求1所述的氦离子化检测器，其特征在于：所述进气管包括石英进气管或玻璃进气管或者不锈钢进气管；还包括位于所述激发电极沟道中的用以容纳所述激发电极对的石英管或玻璃管。

6.根据权利要求1所述的氦离子化检测器，其特征在于：所述衬底中还包括电极引出沟道，通过所述电极引出沟道容纳所述偏置电极及收集电极的电极引线和焊盘。

7.一种氦离子化检测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一衬底，并图形化所述第一衬底，于所述第一衬底中形成沟道，所述沟道包括激发电极沟道、进气沟道及出气沟道，所述激发电极沟道与所述出气沟道相连通构成第一交汇区，所述进气沟道与所述出气沟道相连通构成第二交汇区；

提供第二衬底，于所述第二衬底上形成偏置电极及收集电极；

键合所述第一衬底及第二衬底，覆盖所述沟道形成腔室，且所述偏置电极及收集电极位于所述出气沟道中，且设置于所述第二交汇区外侧远离所述第一交汇区处；

提供激发电极对及进气管，并将所述激发电极对置于所述激发电极沟道中，且所述激发电极对的激发电极区位于所述第一交汇区，以及将所述进气管置于所述进气沟道中，所述进气管包括第一进气管及第二进气管，所述第一进气管及第二进气管具有相同形貌且相向设置，以分别向所述第二交汇区提供具有相同压强的辅助载气及样品载气。

8.根据权利要求7所述的氦离子化检测器的制备方法，其特征在于：所述腔室的截面形貌包括以所述出气沟道作为对称轴的“干”字形，在所述腔室中，所述第一交汇区为载气最高密度区且为载气最低流速区。

9.根据权利要求7所述的氦离子化检测器的制备方法，其特征在于：所述第一衬底包括半导体衬底或玻璃衬底；所述第二衬底包括半导体衬底或玻璃衬底；还包括于所述沟道表面形成绝缘钝化层的步骤。

10.根据权利要求7所述的氦离子化检测器的制备方法，其特征在于：还包括图形化所述第一衬底形成电极引出沟道的步骤，以通过所述电极引出沟道容纳所述偏置电极及收集电极的电极引线和焊盘。