[发明专利]一种减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构

权利要求书

1.一种减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，其特征在于，至少包括：

第一至第四单元；所述第一至第四单元分别包括：单元A和单元B；

其中所述单元A和所述单元B中分别包括：第一至第三Fin结构；所述第一至第三Fin结构上设有横跨所述第一至第三Fin结构的第一栅极；所述第一、第二Fin结构上设有横跨所述第一、第二Fin结构的第二栅极；所述第一、第二Fin结构上设有横跨所述第一、第二Fin结构并连接所述第三Fin结构末端的第一金属；沿所述第一、第二Fin结构的纵向，所述第一金属位于所述第一、第二栅极之间；所述第一、第二Fin结构的首端通过第二金属相互连接；所述第三Fin结构的首端连接第三金属；所述第一、第二Fin结构的末端通过第四金属相互连接；

所述单元A的所述第一栅极的一端通过其第一栅极金属与所述单元B中靠近其所述第三Fin结构末端的所述第一金属连接；所述单元B的所述第一栅极的一端通过其第一栅极金属与所述单元A中靠近其所述第三Fin结构末端的所述第一金属连接；

所述第一、第二单元的所述单元A中的所述第二金属的一端相互连接；所述第一、第二单元的所述单元A中的所述第二栅极的一端通过第二栅极金属相互连接；

所述第一、第四单元的所述单元A中的所述第一、第二Fin结构的末端通过各自的所述第四金属相互连接；所述第一、第四单元的所述单元B中的所述第三Fin结构的首端通过各自的第三金属相互连接；所述第一、第四单元的所述单元B中的所述第一、第二Fin结构的首端通过各自的所述第二金属相互连接。

2.根据权利要求1所述的减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，其特征在于：所述第二、第三单元的所述单元A中的所述第一、第二Fin结构的末端通过各自的所述第四金属相互连接；所述第二、第三单元的所述单元B中的所述第三Fin结构的首端通过各自的第三金属相互连接；所述第二、第三单元的所述单元B中的所述第一、第二Fin结构的首端通过各自的所述第二金属相互连接。

3.根据权利要求1所述的减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，其特征在于：所述第三、第四单元的所述单元A中的所述第二金属的一端相互连接；所述第三、第四单元的所述单元A中的所述第二栅极的一端通过第二栅极金属相互连接。

4.根据权利要求1所述的减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，其特征在于：所述第一、第二单元的所述第二金属连接电压Vss。

5.根据权利要求1所述的减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，其特征在于：所述第二栅极金属连接字线。

6.根据权利要求1所述的减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，其特征在于：所述第一至第四单元中的所述第四金属连接位线。

7.根据权利要求1所述的减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，其特征在于：所述第一、第二单元中的所述第三金属连接电压Vdd。

8.根据权利要求1所述的减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，其特征在于：所述第四单元中的所述单元A的所述第一、第二Fin结构与其上的第一栅极构成通过门。

9.根据权利要求1所述的减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，其特征在于：所述第四单元中的所述单元B的所述第一、第二Fin结构与其上的第二栅极构成下拉管。

10.根据权利要求1所述的减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，其特征在于：所述第一至第四单元中的所述第一、第二Fin结构之间的间距为2～6nm。