[发明专利]引线框架及半导体器件

说明书

本申请提供一种引线框架，以及利用该引线框架构建的半导体器件。所述引线框架包括至少一封装单元，每一封装单元包括：至少一基岛，用于放置一半导体芯片；以及，复数个引脚，围绕所述基岛设置；其中，相邻封装单元之间通过连接部连接，所述连接部具有冲压形成的贯穿槽；并且，所述贯穿槽在与至少一引脚相邻处具有突出部，所述突出部沿着该引脚在朝向靠近所述基岛的方向上延伸。

技术领域

本申请涉及半导封装领域，特别涉及一种引线框架，以及利用该引线框架构建的半导体器件。

背景技术

封装产品通常是将芯片贴装于引线框架上，以焊线导电连接芯片与引线框架，最后以封装材料封装而获得。

图1A所示的是本领域中一种常规半导体器件1000的结构示意图。如图1A所示，所述半导体器件1000包括一由封装材料形成的封装体1001，以及多个从所述封装体的内部延伸至突出于所述封装体1001表面的引脚1002。如图1A所示，由于是切割形成的，半导体器件1000的引脚1002具有暴露其材质的断面1003。然而，由于通常引脚1002的材质为铜，因而在半导体器件1000的后续焊接安装过程中，引脚1002的断面1003上无法爬锡，使得焊料并不能在断面1003处堆积，进而无法从断面1003的这一侧观察到焊料堆用以判断半导体器件1000是否焊接牢靠。

为了解决上述问题，目前的一种解决方案是在引脚1002内设置贯穿孔1004，以在贯穿孔1004的表面形成电镀爬锡面，如图1B所示。

然而，图1B所示的引脚结构无法适用于引脚面积较小的半导体器件结构中。并且，由于引脚的结构局限性，贯穿孔1004的侧面较小而致使实际爬锡的空间拥挤，容易造成爬锡不良。再者，由于贯穿孔1004是封闭贯的，不利于观察。此外，由于贯穿孔1004的尺寸较小，加工难度大，一般需要以加工成本高的蚀刻方式成形。因此，从产品生产角度而言，图1B所示的引脚结构无法实现大规模批量生产，因而依然无法实际解决图1A中所示的从断面1003的这一侧观察到焊料堆用以判断半导体器件1000是否焊接牢靠的技术问题。

因此，有必要提供一种新的引线框架，以克服上述缺陷。

发明内容

本申请的目的在于提供一种引线框架，以及利用该引线框架构建的半导体器件，通过设置于引线框架的连接部的贯穿槽及其突出部的结构设计，从而解决封装体的侧面爬锡面积不足的问题。

为了达到上述目的，根据本申请的一方面，提供一种引线框架，用于一半导体器件，所述引线框架包括至少一封装单元，每一封装单元包括：至少一基岛，用于放置一半导体芯片；以及，复数个引线指，围绕所述基岛设置；其中，相邻封装单元之间通过连接部连接，所述连接部具有冲压形成的贯穿槽；并且，所述贯穿槽在与至少一引线指相邻处具有突出部，所述突出部沿着该引线指在朝向靠近所述基岛的方向上延伸。

在一些实施例中，以一封闭的封装线定义一封装单元，所述贯穿槽的所述突出部从所述贯穿槽与引线指的相邻处延伸至靠近所述封装线。

在一些实施例中，所述贯穿槽的边缘具有由冲压而形成的断口。

在一些实施例中，所述贯穿槽的表面具有复数条冲压形成的痕迹，并且这些痕迹沿着冲压方向延伸。

根据本申请的另一方面，提供一种半导体器件，包括一由封装材料形成的封装体，以及至少一从所述封装体的内部延伸至突出于所述封装体表面的引脚，其中，所述引脚在远离所述封装体的一端具有切割形成的断面，并且，所述断面中间具有冲压形成的凹槽，所述凹槽从所述断面沿着所述引脚朝向靠近所述封装体的方向延伸，并且，所述凹槽的表面覆盖电镀层。

在一些实施例中，所述凹槽的边缘具有由冲压而形成的断口。

在一些实施例中，所述凹槽的表面具有复数条冲压形成的痕迹，并且这些痕迹沿着冲压方向延伸。

在一些实施例中，所述引脚的断面暴露所述引脚的材料，且不设置电镀层。