[发明专利]一种可基于溅射功率调整RA值原理的隧穿磁电阻和磁性随机存储器的制备方法在审
| 申请号： | 202110721624.2 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN115595541A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 卢世阳;张静;商显涛;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54;G11C11/16;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人： | 代峰;谷轶楠 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 溅射 功率 调整 ra 原理 磁电 磁性 随机 存储器 制备 方法 | ||
1.一种基于溅射功率调控RA值原理的隧穿磁电阻的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
构建所述隧穿磁电阻的底部层级结构；
根据RA值需求控制腔室靶材料溅射功率；
在完成溅射的腔室中，构建所述底部层级结构之上的非磁性层；
在所述非磁性层之上构建顶部层级结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隧穿磁电阻包括底钉扎结构或顶钉扎结构。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在正式片靶材料溅射前进行粒子吸附和预溅射清洁处理。
4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：选用与非磁性层相同靶材料对腔室内部进行预溅射处理。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法中，通过增设气体排出装置加快溅射过程氧气逃逸速度。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法中，通过溅射工艺进行各层的构建。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在进行腔室粒子吸附时，在所述腔室中填充低压惰性气体。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法中，在构建得到的所述非磁性层厚度相同的情况下，所述正式片溅射功率与所述隧穿磁电阻的RA值具有连续对应关系。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中，在构建得到的所述非磁性层厚度相同的情况下，所述正式片溅射功率与所述隧穿磁电阻的MR值具有连续对应关系。
10.一种磁性随机存储器的制备方法，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的方法制备所述磁性随机存储器中磁隧道结的隧穿磁电阻。
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