[发明专利]一种凹槽双场板AlGaN/GaN HEMT器件

权利要求书

1.一种凹槽双场板AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，包括有自底向上依次设置的衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)和钝化层(4)；该器件的源极S、漏极D、栅极G延伸至势垒层，栅极G位于源极S和漏极D之间；势垒层上且位于栅极G和漏极D之间设置有凹槽双场板。

2.根据权利要求1所述的一种凹槽双场板AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，所述的凹槽双场板结构(8)中，左侧场板长度L_fp1为0.3μm、右侧场板长度L_fp2为0.7μm，左侧场板下钝化层厚度H+H_fp1为10nm、右侧场板下钝化层H_fp2为20nm，凹槽双场板下凹槽由Si₃N₄材料填充。

3.根据权利要求1所述的一种凹槽双场板AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，所述的缓冲层(2)由厚度为2μm的GaN组成，摻杂浓度为1×10¹⁵cm^-3。

4.根据权利要求1所述的一种凹槽双场板AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，所述的势垒层(3)由厚度为20nm的AlGaN组成，摻杂浓度为1×10¹⁷cm^-3。

5.根据权利要求1所述的一种凹槽双场板AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，所述的钝化层(4)由厚度为5nm的Si₃N₄组成。

6.根据权利要求1所述的一种凹槽双场板AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，所述的栅极G、源极S及漏极D的长度均为0.5μm。

7.根据权利要求1所述的一种凹槽双场板AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，所述的栅极G和源极S之间的栅源距离为1.0μm，栅极和漏极之间的栅漏距离为2.0μm。