[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

第一再分布基板；和

第一半导体器件，所述第一半导体器件位于所述第一再分布基板上，

其中，所述第一再分布基板包括：

第一电介质层，所述第一电介质层包括第一孔；

下凸块，所述下凸块包括位于所述第一孔中的第一凸块部分和从所述第一凸块部分突出到所述第一电介质层上的第二凸块部分；

外部连接端子，所述外部连接端子位于所述第一电介质层的底表面上，并且通过所述第一孔连接到所述下凸块；

润湿层，所述润湿层位于所述外部连接端子与所述下凸块之间；和

第一阻挡/晶种层，所述第一阻挡/晶种层位于所述下凸块与所述第一电介质层之间以及所述下凸块与所述润湿层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一孔的内侧壁与所述第一电介质层的所述底表面成第一角度，

其中，所述第一角度在45°至90°的范围内。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述外部连接端子包括：

第一端子部分，所述第一端子部分位于所述第一孔中；和

第二端子部分，所述第二端子部分从所述第一电介质层的所述底表面向外突出，

其中，所述第一端子部分的侧壁与所述第二端子部分的顶表面成第一角度，

其中，所述第一角度在45°至90°的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述外部连接端子包括：

第一端子部分，所述第一端子部分位于所述第一孔中；和

第二端子部分，所述第二端子部分从所述第一电介质层的所述底表面向外突出，

其中，所述第二端子部分的宽度大于所述第一端子部分的宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一凸块部分的侧壁与所述第二凸块部分的底表面成第一角度，

其中，所述第一角度在90°至135°的范围内。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二凸块部分的宽度大于所述第一凸块部分的宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述外部连接端子的侧壁、所述润湿层的侧壁和所述第一阻挡/晶种层的侧壁彼此对齐。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一再分布基板还包括：

第二电介质层，所述第二电介质层覆盖所述第一电介质层和所述下凸块的所述第二凸块部分；和

第一再分布图案，所述第一再分布图案穿透所述第二电介质层并连接到所述下凸块，

其中，所述第二凸块部分与所述第二电介质层直接接触。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述第一再分布图案包括穿透所述第二电介质层的通路部分和突出到所述第二电介质层上的线路部分，

其中，所述通路部分的宽度小于所述第一凸块部分的宽度。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一再分布基板还包括：

第二电介质层，所述第二电介质层覆盖所述第一电介质层和所述下凸块的所述第二凸块部分；和

金属氧化物层，所述金属氧化物层位于所述第二凸块部分与所述第二电介质层之间；和

空隙区域，所述空隙区域位于所述第二凸块部分与所述金属氧化物层之间。