[发明专利]光掩模坯料及其制造方法

权利要求书

1.光掩模坯料，其包含：透明基板，与透明基板接触并包含过渡金属及硅中的一者或两者的第一无机膜，其中

当通过使用Bi的一次离子源和Cs的溅射离子源的飞行时间二次离子质谱法(TOF-SIMS)在透明基板和第一无机膜的厚度方向上测定二次离子强度时，在透明基板和第一无机膜的界面处检测的包含碳的二次离子强度高于分别在基板侧和第一无机膜侧检测的包含碳的二次离子强度两者。

2.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中透明基板是石英基板，且第一无机膜通过仅使用基本上不含碳的原材料来形成。

3.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中包含碳的二次离子是C的二次离子。

4.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中第一无机膜包含氮，且包含碳的二次离子是CN的二次离子。

5.光掩模坯料，其包含：透明基板，包含过渡金属及硅中的一者或两者的第一无机膜，和包含过渡金属及硅中的一者或两者、具有不同于第一无机膜的组成的组成并与第一无机膜接触的第二无机膜，其中

当通过使用Bi的一次离子源和Cs的溅射离子源的飞行时间二次离子质谱法(TOF-SIMS)在第一无机膜和第二无机膜的厚度方向上测定二次离子强度时，在第一无机膜和第二无机膜的界面处检测的包含碳的二次离子强度高于分别在第一无机膜侧和第二无机膜侧检测的包含碳的二次离子强度两者。

6.根据权利要求5所述的光掩模坯料，其中第一无机膜和第二无机膜的每个通过仅使用基本上不含碳的原材料来形成。

7.根据权利要求5所述的光掩模坯料，其中包含碳的二次离子是C的二次离子。

8.根据权利要求5所述的光掩模坯料，其中第一无机膜和第二无机膜的两者的每个包含氮，且包含碳的二次离子是CN的二次离子。

9.根据权利要求5所述的光掩模坯料，其中第一无机膜和第二无机膜中的一个包含铬且不含硅，和另一个包含硅且不含铬。

10.制造根据权利要求1的光掩模坯料的方法，其包括以下步骤：在形成第一无机膜之前通过使表面与包含有机物的水溶液接触从而处理用于第一无机膜的透明基板的成膜表面。

11.制造权利要求5的光掩模坯料的方法，其包括以下步骤：在形成第二无机膜之前通过使表面与包含有机物的水溶液接触从而处理用于第二无机膜的第一无机膜的成膜表面。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其中含有有机物的水溶液是具有3ppb以上且100ppb以下的总有机碳(TOC)的纯水。