[发明专利]化学镀钯浴

说明书

本发明公开了一种化学镀钯浴，至少含有钯化合物、还原剂、络合物以及稳定剂。稳定剂为二价硫化合物与具有杂环结构的化合物键结而成的有机化合物，该有机化合物不具有硫醇基与双硫键。因此，能够抑制钯在镀镍膜上的析出性的降低，同时能够提高镀浴的稳定性。

技术领域

本发明涉及一种化学镀钯浴。

背景技术

在电子工业领域中，作为印刷基板的电路、IC封装体的安装部分及端子部分等的表面处理法，例如采用化学镀镍(Ni)/化学镀钯(Pd)/置换金(Au)法(化学镀镍钯浸金Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold：ENEPIG)。通过使用该ENEPIG工艺，能够得到依次层叠化学镀镍膜、化学镀钯膜以及置换镀金膜而得到的镀膜。

钯膜显示良好的电导率，同时耐腐蚀性优异，而且具有防止基底镍因热历史而向金表面扩散的功能，因此钯膜在上述ENEPIG工艺中发挥重要的作用。

这里，一般要求镀浴的稳定性优异，现有的化学镀钯浴使用乙二胺四乙酸或其盐等作为稳定剂，但由于镀浴容易自发分解而存在稳定性不足的问题。

因此，有人提出了添加有机化合物的化学钯镀浴这样的方案，该有机化合物含有二价硫，并且记载有通过使用该含有二价硫的有机化合物，镀浴的稳定性会得到提高(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本专利第3972158号

发明内容

－发明要解决的技术问题－

这里，上述现有镀浴通过添加含有二价硫的有机化合物，镀浴的稳定性提高，但存在钯在镀镍膜上的析出性降低的问题。

近年来，由于形成含有磷(P)的镀镍膜(膜中磷的浓度为4～8％的镀镍膜)，被镀覆装置的工作保证温度上升。随着该装置的工作保证温度上升，能够形成在高工作保证温度的装置且含磷量低的镀镍膜(膜中磷的浓度低于4％的镀镍膜)的需求在不断增加。然而，上述现有镀浴存在钯在该含磷量低的镀镍膜上的析出性显著降低这样的问题，该问题尤其严重。因此迫切希望开发出能够形成含磷量低的镀镍膜的化学镀钯浴。

这里，本发明正是为解决上述问题而完成的，其目的在于：提供一种化学镀钯浴，能够抑制钯在镀镍膜上的析出性的降低，同时能够提高镀浴的稳定性。

－用于解决技术问题的技术方案－

为了达成上述目的，本发明的化学镀钯浴至少含有钯化合物、还原剂、络合物以及稳定剂，稳定剂为二价硫化合物与具有杂环结构的化合物键结而成的有机化合物，该有机化合物不具有硫醇基与双硫键。

－发明之效果－

根据本发明，能够抑制钯在镀镍膜上的析出性的降低，同时能够提高镀浴的稳定性。

具体实施方式

下面，说明本发明的化学镀钯浴。

＜化学镀钯浴＞

本发明的化学镀钯浴含有钯化合物、还原剂、络合物以及稳定剂。

(钯化合物)

钯化合物是用于获得钯镀浴的钯离子供给源。该钯化合物只要是水溶性即可，能够列举出的该钯化合物例如有：氯化钯、硫酸钯、乙酸钯等无机水溶性钯盐；盐酸四氨钯、硫酸四氨钯、乙酸四氨钯、硝酸四氨钯、乙二胺氯化钯等有机水溶性钯盐。需要说明的是，上述钯化合物既可以单独使用，也可以两种以上混合使用。