[发明专利]晶体管制造方法、设备、计算机可读存储介质与程序产品

权利要求书

1.一种晶体管制造方法，其特征在于，所述晶体管制造方法包括如下步骤：

在外延片上热生长场氧化层后，在所述场氧化层确定承压环注入掺杂窗口的第一位置，并基于所述第一位置，进行第一导电掺杂杂质的注入，以形成承压环PN结；

在所述场氧化层确定源区注入窗口的第二位置和截止区注入窗口的第三位置，并基于所述第二位置和所述第三位置，进行第一导电掺杂杂质与第二导电掺杂杂质的注入，以形成源区PN结和截止区PN结，所述源区PN结与所述承压环PN结部分重叠；

在所述场氧化层表面淀积掺杂氧化层PSG，并在所述掺杂氧化层PSG确定源区接触孔的第四位置和截止区接触孔的第五位置，并基于所述第四位置和所述第五位置，开设源区接触孔和截止区接触孔；

在所述掺杂氧化层PSG、所述源区接触孔和所述截止区接触孔淀积金属层，并去除所述源区接触孔对应的源极与所述截止区接触孔对应的场板之间的无效金属层。

2.如权利要求1所述的晶体管制造方法，其特征在于，在所述外延片上热生长场氧化层后，在所述场氧化层确定承压环注入掺杂窗口的第一位置，并基于所述第一位置，进行第一导电掺杂杂质的注入，以形成承压环PN结的步骤包括：

在外延片热生长场氧化层后，在所述场氧化层上涂布预设厚度的光刻胶，并基于第一预设掩模进行曝光、显影，以确定承压环注入掺杂窗口的第一位置；

基于所述第一位置，腐蚀承压环注入掺杂窗口对应的氧化层，并去除所述光刻胶；

在承压环注入掺杂窗口注入第一导电掺杂杂质，以形成承压环PN结。

3.如权利要求2所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述在承压环注入掺杂窗口注入第一导电掺杂杂质，以形成承压环PN结的步骤包括：

在承压环注入掺杂窗口注入第一导电掺杂杂质，并基于预设温度和预设时间，对所述第一导电掺杂杂质进行高温扩散；

在承压环注入窗口上热生长预设厚度的第一屏蔽氧化层，以形成承压环PN结。

4.如权利要求1所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述在所述场氧化层确定源区注入窗口的第二位置和截止区注入窗口的第三位置，并基于所述第二位置和所述第三位置，进行第一导电掺杂杂质与第二导电掺杂杂质的注入，以形成源区PN结和截止区PN结，所述源区PN结与所述承压环PN结部分重叠的步骤包括：

在所述场氧化层上涂布预设厚度的光刻胶，并基于第二预设掩模进行曝光、显影，以确定源区注入窗口的第二位置和截止区注入窗口的第三位置；

基于所述第二位置和所述第三位置，腐蚀源区注入窗口对应的氧化层以及截止区注入窗口对应的氧化层，并分别在源区注入窗口和截止区注入窗口热生长预设厚度的第二屏蔽氧化层和第三屏蔽氧化层；

清除所述光刻胶，并分别在源区注入窗口和截止区注入窗口注入第一导电掺杂杂质与第二导电掺杂杂质，以形成源区PN结和截止区PN结。

5.如权利要求4所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述分别在源区注入窗口和截止区注入窗口注入第一导电掺杂杂质与第二导电掺杂杂质，以形成源区PN结和截止区PN结的步骤包括：

分别在源区注入窗口和截止区注入窗口注入第二导电掺杂杂质，并基于预设温度和预设时间，将所述第二导电掺杂杂质扩散到预设掺杂峰值深度；

分别在源区注入窗口和截止区注入窗口注入第一导电掺杂杂质，并基于预设温度和预设时间，对所述第一导电掺杂杂质进行高温扩散，以形成源区PN结和截止区PN结。

6.如权利要求1所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述在所述场氧化层表面淀积掺杂氧化层PSG，并在所述掺杂氧化层PSG确定源区接触孔的第四位置和截止区接触孔的第五位置，并基于所述第四位置和所述第五位置，开设源区接触孔和截止区接触孔的步骤包括：

在所述场氧化层表面淀积掺杂氧化层PSG，并基于预设温度和预设时间，以氧气氛围对所述掺杂氧化层PSG进行增密处理；

在所述掺杂氧化层PSG上涂布预设厚度的光刻胶，并基于第三预设掩模进行曝光、显影，以确定源区接触孔的第四位置和截止区接触孔的第五位置；

基于所述第四位置和所述第五位置，分别腐蚀形成源区接触孔和截止区接触孔，并去除光刻胶。