[发明专利]一种在功率MOSFET芯片的栅接触区制作焊球的方法有效
| 申请号： | 202110724518.X | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113436981B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 王永恒;马祖光;顾在意;李学;陈静;保爱林 | 申请（专利权）人： | 山东宝乘电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 绍兴市知衡专利代理事务所(普通合伙) 33277 | 代理人： | 邓爱民 |
| 地址： | 256300 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mosfet 芯片 接触 制作 方法 | ||
1.一种在功率MOSFET芯片的栅接触区制作焊球的方法，其特征在于：
MOSFET晶圆片上形成若干漏极相连的MOSFET芯片单元，每个MOSFET芯片单元的源极、栅极、漏极均已形成且已经完成了各极表面的金属化；
配置焊锡膏：焊锡膏内包括由92.5%Pb、5%Sn、2.5%Ag构成的焊料球以及添加的熔点高于焊料球的金属球，金属球的直径小于MOSFET芯片单元的栅极的宽度；焊锡膏配置时，先将金属球外部镀锡，然后将金属球与焊料球按照1:50～1:80的数量比混合均匀；
在MOSFET晶圆片的每个MOSFET芯片单元的栅极金属化区域点焊锡膏，点在每个MOSFET芯片单元栅极上的焊锡膏所覆盖圆形区域的直径不大于栅极宽度的60%，每个MOSFET芯片单元栅极上的焊锡膏至少含一个金属球；
MOSFET晶圆片上的每个MOSFET芯片单元都完成点焊锡膏工序后，对MOSFET晶圆片进行烧结，然后进行晶圆片切割以将各个芯片单元分离。
2.根据权利要求1所述的一种在功率MOSFET芯片的栅接触区制作焊球的方法，其特征在于：所述金属球优选铜球。
3.根据权利要求1所述的一种在功率MOSFET芯片的栅接触区制作焊球的方法，其特征在于：所述金属球的直径优选栅极宽度的三分之一。
4.根据权利要求1所述的一种在功率MOSFET芯片的栅接触区制作焊球的方法，其特征在于：所述烧结温度控制在300℃～320℃，烧结时间控制在5～10分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
