[发明专利]一种减少二极管选通阵列寄生漏电的偏置方法在审
| 申请号： | 202110724690.5 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113539311A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李阳;蔡道林;宋志棠;崔紫荆;李程兴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C7/12;G11C8/08 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 钱文斌 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 二极管 阵列 寄生 漏电 偏置 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种减少二极管选通阵列寄生漏电的偏置方法，所述二极管阵列包括十字交叉的至少两根位线和至少两根字线，所述位线和字线的交叉点处设置有二极管，其特征在于，对多根相邻位线施加选通信号，其他位线接地，将选通单元所在的字线接地，并对其他字线施加一个大于操作电压且小于二极管反向击穿电压的电压Vp，其中，所述选通单元位于同一根字线上。
2.根据权利要求1所述的减少二极管选通阵列寄生漏电的偏置方法，其特征在于，在施加选通信号时对同一字线上2n个相邻的二极管同时施加选通信号，其中，n为正整数。
3.根据权利要求1所述的减少二极管选通阵列寄生漏电的偏置方法，其特征在于，所述二极管阵列的位线和字线中间设置有一层存储介质。
4.根据权利要求1所述的减少二极管选通阵列寄生漏电的偏置方法，其特征在于，所述选通信号由脉冲发生器提供。
5.根据权利要求1所述的减少二极管选通阵列寄生漏电的偏置方法，其特征在于，所述选通信号为电流信号或电压信号。
6.根据权利要求1所述的减少二极管选通阵列寄生漏电的偏置方法，其特征在于，所述二极管阵列通过叠加字线-位线的形式形成三维堆叠结构。
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