[发明专利]读重试测试方法、装置、可读存储介质及电子设备

说明书

本发明公开一种读重试测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，根据接收的待测闪存的读重试功能的测试请求以块为单位对所述待测闪存的目标操作模式进行遍历，直至遍历完所述目标操作模式中的所有块；对于遍历到的目标块中的预设目标页进行读操作，得到目标原始数据；基于所述目标原始数据对所述预设目标页的数据进行位翻转，得到位翻转后的预设目标页；读取所述位翻转后的预设目标页的数据，得到读取结果，并根据所述读取结果得到所述读重试功能的测试结果，以此强制修改数据来进行位翻转的构造，从而触发主控的读重试功能并对其进行测试，提高了测试读重试功能的效率。

技术领域

本发明涉及闪存技术领域，尤其涉及一种读重试测试方法、装置、可读存储介质及电子设备。

背景技术

由于出厂质量较差、使用中磨损或者高温环境影响等原因，NAND flash(NAND闪存)主控在读NAND flash颗粒上的数据时，数据可能存在较多的bit(位)翻转，需要通过主控的ECC(Error Checking and Correcting，错误检查和纠正)模块来进行纠错，并且主控一般会提供读重试(read retry，RR)和深度读重试(deep read retry，DRR)功能，配合颗粒厂商提供的调整读电压偏移(read offset)和读软数据(read soft data)等功能，以此能够进一步提升纠错能力，保护数据完整性。

不同颗粒厂商的NAND flash的结构、控制逻辑不同，提供的read offset、readsoft data等功能的实现方法也相差较大；同时，支持多款flash颗粒也是NAND flash主控通用性设计的要求，因此，基于现有主控适配新款flash颗粒是主控软件开发人员的常见任务，而且RR、DRR功能也是适配新款颗粒任务中的重点。

一般情况下，RR和DRR功能的验证，需要NAND flash的数据超过主控的纠错能力才能够触发执行，所以常用手段就是对NAND flash进行擦除(erase)和编码(program)之后对NAND flash颗粒进行高温处理，以使得NAND flash中的数据质量变差，进而触发主控执行RR和DRR流程，这个方法对NAND flash的处理一般在几小时左右，并且在验证过程中由于软件bug等原因，可能会需要进行多次高温处理，因此对于RR和DRR功能的开发、验证效率比较低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种读重试测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，能够提高测试读重试功能的效率。

为了解决上述技术问题，本发明采用的一种技术方案为：

一种读重试测试方法，包括：

根据接收的待测闪存的读重试功能的测试请求，以块为单位对所述待测闪存的目标操作模式进行遍历，直至遍历完所述目标操作模式中的所有块；

对于遍历到的目标块中的预设目标页进行读操作，得到目标原始数据；

基于所述目标原始数据对所述预设目标页的数据进行位翻转，得到位翻转后的预设目标页；

读取所述位翻转后的预设目标页的数据，得到读取结果，并根据所述读取结果得到所述读重试功能的测试结果。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：

一种读重试测试装置，包括：

位翻转构造模块，用于：

根据接收的待测闪存的读重试功能的测试请求以块为单位对所述待测闪存的目标操作模式进行遍历，直至遍历完所述目标操作模式中的所有块；

对于遍历到的目标块中的预设目标页进行读操作，得到目标原始数据；

基于所述目标原始数据对所述预设目标页的数据进行位翻转，得到位翻转后的预设目标页；