[发明专利]一种负氢离子源系统

权利要求书

1.一种负氢离子源系统，其特征在于，包括：等离子体产生装置和负氢离子引出装置；所述等离子体产生装置的等离子体出射口处设置所述负氢离子引出装置；

所述负氢离子引出装置包括外壳、过滤磁场产生装置和扩散区；

所述外壳内设置所述扩散区；所述外壳包括金属侧壁和金属顶面；所述金属顶面为静磁屏蔽面；所述金属顶面开设有等离子体通道；所述等离子体产生装置产生的等离子体从所述等离子体通道进入所述扩散区的顶部，并从所述扩散区的底部引出负氢离子；所述过滤磁场产生装置设置在所述金属侧壁的外部且位于所述扩散区的底部。

2.根据权利要求1所述的一种用于负氢离子源系统的静磁屏蔽系统，其特征在于，所述金属顶面的材料为相对磁导率不小于4000的磁性材料。

3.根据权利要求1所述的一种用于负氢离子源系统的静磁屏蔽系统，其特征在于，所述金属顶面包括第一顶面和覆盖在所述第一顶面上的第二顶面；所述第一顶面的材料为不锈钢；所述第二顶面的材料为相对磁导率不小于4000的磁性材料。

4.根据权利要求2所述的一种用于负氢离子源系统的静磁屏蔽系统，其特征在于，所述金属顶面的材料为纯铁。

5.根据权利要求3所述的一种用于负氢离子源系统的静磁屏蔽系统，其特征在于，所述第二顶面的材料为纯铁。

6.根据权利要求1所述的一种用于负氢离子源系统的静磁屏蔽系统，其特征在于，所述等离子体产生装置包括：放电源区、石英桶、射频线圈、金属密封件和法拉第屏蔽罩；

所述石英桶内设置所述放电源区；所述石英桶为两端开口的结构；所述石英桶设置在所述等离子体通道处；所述石英桶的底部开口与所述等离子体通道的开口相匹配；所述石英桶的顶部开口处设置所述金属密封件；所述射频线圈缠绕在所述石英桶的外部；所述石英桶、所述射频线圈和所述金属密封件均位于所述法拉第屏蔽罩内；所述法拉第屏蔽罩设置在所述金属侧壁和所述金属顶面的交界处。

7.根据权利要求1所述的一种用于负氢离子源系统的静磁屏蔽系统，其特征在于，所述负氢离子引出装置还包括：引出电极；所述引出电极位于所述扩散区的底部。

8.根据权利要求1所述的一种用于负氢离子源系统的静磁屏蔽系统，其特征在于，所述过滤磁场产生装置为静磁铁。

9.根据权利要求6所述的一种用于负氢离子源系统的静磁屏蔽系统，其特征在于，所述金属密封件上开设有氢气通入孔。

10.根据权利要求1所述的一种用于负氢离子源系统的静磁屏蔽系统，其特征在于，所述金属侧壁的材料为不锈钢。