[发明专利]一种透射电镜平面样品的制备方法

权利要求书

1.一种透射电镜平面样品的制备方法，其特征在于，包括：

S1：提供一样品芯片，在所述样品芯片上确定目标截面，所述目标截面为所述透射电镜平面样品平行于第一平面的截面，其中，第一平面为与所述样品芯片厚度方向垂直的平面；

S2：从所述样品芯片中，提取包括所述目标截面的待制作样品；

S3：对所述待制作样品的侧面，在所述目标截面沿所述芯片厚度方向的两侧，分别进行离子束标记；

S4：对所述待制作样品的正面和背面进行刻蚀，直至暴露出所述目标截面两侧的离子束标记时，停止刻蚀，将刻蚀后得到的样品作为所述透射电镜平面样品。

2.如权利要求1所述的透射电镜平面样品的制备方法，其特征在于，在所述S2中提取所述待制作样品前，还包括：在所述样品芯片的正面表面沉积第一保护层。

3.如权利要求1所述的透射电镜平面样品的制备方法，其特征在于，所述S2中得到的待制作样品的厚度为1um。

4.如权利要求1所述的透射电镜平面样品的制备方法，其特征在于，所述S2之后所述S3之前，所述方法还包括：

S21，对所述待制作样品的侧面进行刻蚀，以清理所述待制作样品的侧面的表面附着的污染物，直至暴露所述目标截面所在位置的特征结构。

5.如权利要求1所述的透射电镜平面样品的制备方法，其特征在于，所述S3中对所述待制作样品进行离子束标记的离子束加速电压为30KV，离子束电流为1pA。

6.如权利要求5所述的透射电镜平面样品的制备方法，其特征在于，所述S3中，在所述目标截面沿所述芯片厚度方向的两侧得到的离子束标记分别与所述目标截面的距离相等。

7.如权利要求1所述的透射电镜平面样品的制备方法，其特征在于，所述S3之后所述S4之前，还包括：

S31，在所述待制作样品的侧面沉积第二保护层，所述第二保护层用以在进行S4步骤时，对待制备得到的所述透射电镜平面样品和所述离子束标记进行保护。

8.如权利要求7所述的透射电镜平面样品的制备方法，其特征在于，所述S31中沉积第二保护层的离子束电流为26pA。

9.如权利要求2或权利要求8所述的透射电镜平面样品的制备方法，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层的材料为碳。

10.如权利要求1所述的透射电镜平面样品的制备方法，其特征在于，所述透射电镜平面样品的厚度为100nm。