[发明专利]一种EUV掩膜板对准标记及其优化方法和制备方法

权利要求书

1.一种EUV掩膜板对准标记，其特征在于，所述EUV掩膜板对准标记的边缘为V型槽结构，V型槽的表面开口处的横向宽度范围为3～5μm，V型槽的高度范围为100～400nm，V型槽的侧壁的倾斜角度为30～90度。

2.根据权利要求1所述的EUV掩膜板对准标记的设计方法，其特征在于，包括步骤：

S1、分别对EUV掩模板对准标记的矩形凹槽的宽度、深度、及侧壁倾斜角度的参数值的不同组合得到的对准标记进行暗场成像特性仿真，利用得到的成像仿真数据，综合评估边缘处散射信号的强弱，以及由成像特征计算得到的对准标记位置的探测误差，确定矩形凹槽的优化结构参数；和

S2、基于矩形凹槽的优化结构参数，分别对不同的V型槽宽度和高度组合进行暗场成像特性的仿真，利用得到的仿真数据，综合评估边缘处散射信号的强弱，以及由成像特征计算得到的对准标记位置的探测误差，确定V型槽优化结构参数。

3.根据权利要求2所述的EUV掩膜板对准标记的设计方法，其特征在于，在步骤S1中，矩形凹槽的宽度参数值为1～8μm，深度参数值为50～500nm，侧壁角度参数值为30～90度。

4.根据权利要求3所述的EUV掩膜板对准标记的设计方法，其特征在于，在步骤S1中，矩形凹槽的优化结构参数为：宽度为5μm，深度为210nm，侧壁倾斜角度为70度。

5.根据权利要求4所述的EUV掩膜板对准标记的设计方法，其特征在于，在所述步骤S2中，基于所确定的矩形凹槽的优化结构参数，设定V型槽的深度与矩形凹槽的深度相同，在保持倾斜角度为70度时，优化得到V型槽的上表面开口处的横向宽度。

6.根据权利要求1所述的EUV掩膜板对准标记的制备方法，其特征在于，基于根据权利要求2至5中任一项所述的EUV掩膜板对准标记的设计方法所确定的V型槽优化结构参数进行制备，包括步骤：

A、在基底表面沉积形成多层反射膜，其中多层反射膜为Mo/Si多层膜，多层反射膜的表面粗糙度小于0.3nm；

B、在多层反射膜表面沉积金属铬层，金属铬层的厚度为50～80nm；

C、在金属铬层表面旋涂光刻胶，旋涂的光刻胶厚度范围为300～400nm，在150℃～200℃的烘箱中前烘45分钟；

D、利用电子束对光刻胶进行曝光，并进行显影和定影，采用离子束刻蚀暴露部分的金属铬层和反射多层膜，形成所需的对准标记图形；以及

E、采用去胶剂和洗铬液去掉未曝光区域的光刻胶及金属铬层，在多层膜中形成所需的对准标记图案，得到EUV掩模板对准标记。

7.根据权利要求6所述的EUV掩膜板对准标记的制备方法，其特征在于，在步骤A中，多层反射膜包含40层对的Mo/Si多层膜，单层Mo厚度为2.8nm，单层Si厚度为4.0nm。

8.根据权利要求6所述的EUV掩膜板对准标记的制备方法，其特征在于，在步骤C中，光刻胶采用电子束抗蚀剂ZEP520A。

9.根据权利要求6所述的EUV掩膜板对准标记的制备方法，其特征在于，在步骤D中，利用电子束直写，随后利用二甲苯在室温环境下显影50秒，并在异丙醇定影40秒，刻蚀离子束的电压为300V，束流为90mA。

10.根据权利要求6所述的EUV掩膜板对准标记的制备方法，其特征在于，在步骤E中，采用甲基丙烯酸甲酯(WA)湿法剥离的方法去除光刻胶，利用洗铬液去掉金属铬层，然后采用臭氧去离子水进行清洗，在臭氧去离子水中浸泡15分钟左右，最后利用去离子水中清洗5～10次。