[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构有效
申请号: | 202110726739.0 | 申请日: | 2021-06-29 |
公开(公告)号: | CN113451161B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 涂旭峰;霍炎 | 申请(专利权)人: | 矽磐微电子(重庆)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/485 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 张相钦 |
地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 方法 结构 | ||
本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。半导体封装方法包括:在电气元件正面形成保护层,并在保护层上形成有保护层开口;电气元件正面具有电性连接键,保护层开口与电性连接键相对应;在芯片正面的焊垫上形成有导电柱,芯片正面设有连接桥;将电气元件正面朝向载板贴设于载板上,并将芯片正面朝向载板且通过导电柱贴设于载板上;芯片位于电气元件之上,连接桥与电气元件之间间隔,且导电柱位于电气元件的外侧;形成包封层,包封层至少形成于芯片的侧面以及芯片与电气元件之间的空间。上述方法通过导电柱的设置,将芯片与电气元件之间实现多层层叠封装,有利于减小封装体的体积,且能够有效保护连接桥结构,有利于保证产品性能。
技术领域
本申请涉及一种半导体技术领域,尤其涉及一种半导体封装方法及半导体封装结构。
背景技术
目前,在半导体封装过程中,常通过引线框架、引线或铜片等键合结构实现电气元件(比如芯片、无源器件)内部电路引出或各电气元件之间的连接。然而,采用这些键合结构所形成的半导体封装产品,其体积较大。
发明内容
本申请的一个方面提供一种半导体封装方法,其包括:
在电气元件正面形成保护层,并在所述保护层上形成有保护层开口;其中,所述电气元件正面具有电性连接键,所述保护层开口与所述电性连接键相对应;
在芯片正面的焊垫上形成有导电柱,所述芯片正面设有连接桥;
将所述电气元件正面朝向载板贴设于所述载板上,并将所述芯片正面朝向所述载板且通过所述导电柱贴设于所述载板上;其中,所述芯片位于所述电气元件之上,所述连接桥与所述电气元件之间具有间隙,且所述导电柱位于所述电气元件的外侧;
形成包封层,所述包封层至少形成于所述芯片的侧面以及所述芯片与所述电气元件之间的空间。
可选的,在形成所述包封层之后,所述方法包括:
剥离所述载板。
可选的,在剥离所述载板之后,所述方法包括:
在所述保护层开口内填充导电介质,形成第一电连接部,以及在所述导电柱远离所述芯片的表面和所述保护层远离所述电气元件的表面形成布线层;所述布线层通过所述导电柱与所述芯片的焊垫电连接、以及通过所述第一电连接部与所述电气元件正面的电性连接键电连接。
可选的,在所述保护层上形成有保护层开口之后,将所述电气元件正面朝向所述载板贴设于载板上之前,所述方法包括:
在所述保护层开口内填充导电介质,形成与所述电气元件正面的电性连接键电连接的第一电连接部。
可选的,在形成所述包封层之后,所述半导体封装方法包括:
剥离所述载板;
在所述导电柱远离所述芯片的表面和所述保护层远离所述电气元件的表面形成布线层;所述布线层通过所述导电柱与所述芯片的焊垫电连接、以及通过所述第一电连接部与所述电气元件正面的电性连接键电连接。
可选的,在形成布线层之后,所述方法还包括:
在所述布线层远离所述芯片和所述电气元件一侧的表面上形成第二电连接部。
可选的,在形成所述第二电连接部之后,所述方法包括:
在所述布线层上形成介电层,所述介电层包覆露出的所述布线层、部分所述第二电连接部以及露出的保护层,且所述第二电连接部远离所述布线层的表面露出所述介电层。
可选的,在形成所述介电层之后,所述方法包括:
在所述第二电连接部远离所述布线层的表面形成外连接键。
可选的,所述芯片包括滤波器功能芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造