[发明专利]一种Micro-LED芯片制备和衬底剥离方法有效
| 申请号： | 202110726848.2 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113299804B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 郭德博;李忠 | 申请（专利权）人： | 南京阿吉必信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州云洋知识产权代理有限公司 32389 | 代理人： | 高斯博 |
| 地址： | 210012 江苏省南京市雨*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 芯片 制备 衬底 剥离 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Micro-LED芯片制备和衬底剥离方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在透明衬底上均匀涂敷紫外胶；
步骤二、在涂敷有紫外胶的透明衬底上生长Al2O3薄膜和LED薄膜结构；
步骤三、在所述Al2O3薄膜和所述LED薄膜结构上形成分立的Micro-LED结构；
步骤四、用紫外面光源照射透明衬底背面，透明衬底与Al2O3薄膜之间的紫外胶脱敏失去粘性，达到Micro-LED结构与透明衬底相分离的目的，形成无衬底Micro-LED芯片。
2.根据权利要求1所述的一种Micro-LED芯片制备和衬底剥离方法，其特征在于：紫外胶上采用CVD或ALD等方法淀积Al2O3薄膜和LED薄膜结构。
3.根据权利要求1所述的一种Micro-LED芯片制备和衬底剥离方法，其特征在于：通过ICP刻蚀、PN电极制备和保护层制备工艺，在所述透明衬底上形成若干分立的Micro-LED结构。
4.根据权利要求1所述的一种Micro-LED芯片制备和衬底剥离方法，其特征在于：Micro-LED芯片为倒装结构芯片，芯片的P、N电极在同侧。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种Micro-LED芯片制备和衬底剥离方法，其特征在于：所述紫外面光源选用均匀的大面积光源。
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