[发明专利]TDICMOS滚动行周期下成像效果评估方法

说明书

TDICMOS滚动行周期下成像效果评估方法，涉及TDICMOS成像效果评估技术领域，首先根据不同行周期下得到的电荷转移信号跳变沿位置，统计出各驱动信号的高电平起始和结束位置及在一个行周期内同一个驱动信号出现上升沿或下降沿的次数；然后逐个电荷转移信号进行上升和下降沿位置的比较，重新计算上升沿位置；接着计算每次电荷转移的质心位置等于上升和下降沿位置之和；计算出各步骤下的质心之间的间距；最后根据电荷转移的相数和对应行周期下的各质心的间距计算得到当前的动态传递函数值。本发明通过上升和下降沿的相对位置判断，可以方便进行质心位置的计算，避免冗余转换而出现的错误。

技术领域

本发明涉及一种TDICMOS成像效果评估方法，具体涉及一种TDICMOS滚动行周期下成像效果评估方法。

背景技术

多谱段TDICMOS探测器成像时，为获得高动态传递函数成像，需要将电荷转移的过程尽可能进行均匀等分。而对于多谱段TDICMOS成像应用，为避免谱段间出现相互干扰，通常会进行相互之间的敏感区域的避让，从而导致整个电荷转移过程并非均分，在轨滚动行周期成像过程中，各步骤电荷转移的均分程度不同，导致在轨的动态传递函数发生变化。

发明内容

本发明为解决现有技术中，在轨滚动行周期成像过程中，电荷转移的均分程度不同，导致在轨的动态传递函数发生变化的问题，提供一种TDICMOS滚动行周期下成像效果评估方法。

TDICMOS滚动行周期下成像效果评估方法，该方法由以下步骤实现：

步骤一、根据不同行周期下获得的电荷转移信号跳变沿位置，统计各驱动信号的高电平起始位置、结束位置以及在一个行周期内同一个驱动信号出现上升沿或下降沿的次数；对电荷转移信号逐个进行上升沿和下降沿位置的比较，重新计算上升沿位置；具体为：

当在一个行周期内出现上升沿或下降沿的次数为1时；

电荷转移信号进行上升沿位置pos_rising和下降沿位置pos_falling的比较，若上升沿位置小于下降沿位置，即pos_rising＜pos_faliln，则新的上升沿位置pos_{new_rising}为：pos_{new_rising}＝pos_rising；若上升沿位置大于下降沿位置，即pos_rising＞pos_falling，则新的上升沿位置调整为：pos_{new_rising}＝n_freq-pos_rising，式中，n_freq为当前的行周期长度；

当在一个行周期内出现上升沿或下降沿的次数大于1时；

当在一个行周期的起始位置电荷转移信号为低电平，则上升沿位置pos_rising不需改变，即pos_{new_rising}＝pos_rising；

当在一个行周期的起始位置电荷转移信号为高电平，则采用第一个下降沿位置和第n个上升沿位置形成一个高电平区域组合；该组合中高电平对应第一个新的上升沿位置pos_{new_rising_first}＝n_freq-pos_{rising_n}，式中，pos_{rising_n}为在一个行周期中最后出现的上升沿位置，即：第n个上升沿位置；

所述第一个上升沿位置和第二个下降沿位置形成一个高电平区域组合，第二个上升沿位置和第三个下降沿位置形成一个高电平区域组合，直到第n-1个上升沿位置和第n个下降沿位置形成一个高电平区域组合；新组合的上升沿和下降沿位置不变；

步骤二、计算每次电荷转移的质心位置，即：电荷转移信号的高电平中心等于新的上升沿和下降沿位置之和的一半；然后计算各电荷转移的质心位置之间的间距；