[发明专利]MEMS麦克风及其制作方法有效
申请号: | 202110728000.3 | 申请日: | 2021-06-29 |
公开(公告)号: | CN113365197B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 周宗燐;卓彥萱;邱冠勋;王喆 | 申请(专利权)人: | 歌尔微电子股份有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04;H04R19/00;H04R31/00;B81C1/00;B81B7/02 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 张娓娓;袁文婷 |
地址: | 266000 山东省青岛市崂*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 麦克风 及其 制作方法 | ||
1.一种MEMS麦克风,包括由外壳和基板形成的封装结构,在所述封装结构内设置有MEMS芯片,所述MEMS芯片包括基底、设置在所述基底上的振膜、背极,其特征在于,
所述基底包括连接柱和位于所述连接柱内部的中央柱,所述连接柱与所述中央柱在所述基底上形成背洞,其中,
在位于所述中央柱上方位置的振膜上设置有通孔,所述通孔用于释放所述振膜的中间区域的拘束;
在所述背极上设置有用于限位所述振膜向上运动的限位件,所述中央柱用于限位所述振膜向下运动的范围,所述限位件与所述中央柱共同限位所述振膜在外部声压的作用下的位移量。
2.如权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,
所述MEMS芯片还包括热氧化层,其中,
所述热氧化层设置在所述基底上,所述振膜设置在所述热氧化层上。
3.如权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,
所述MEMS芯片还包括牺牲层,其中,
所述牺牲层设置在所述振膜与所述背极之间,所述振膜与所述背极作为形成可变电容器的电极板。
4.如权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,
在所述背极上设置有金属层,其中,
所述金属层作为所述背极的电极板。
5.如权利要求4所述的MEMS麦克风,其特征在于,
所述金属层为铬金属层或者金金属层。
6.如权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,
所述背洞为环形背洞或者扇型背洞;
所述通孔为环形通孔。
7.如权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,
在与所述振膜上相对应的所述基板上设置有与外部相连通的声孔,所述声孔与所述背洞相连通;其中,
所述声孔用于将外部声压传递到所述封装结构内部的振膜上,使所述振膜产生振动。
8.一种MEMS麦克风的制作方法,其特征在于,包括:
对基底进行热氧化,使所述基底与氧化剂发生反应形成热氧化层;
在所述热氧化层沉积多晶硅作为振膜,并在所述振膜刻蚀出通孔,其中,所述通孔用于限位位于释放所述振膜的中间区域的拘束;
在所述振膜上沉积聚乙烯氧化物作为牺牲层;
在所述牺牲层上沉积氮化硅作为第一绝缘层,并在所述第一绝缘层上刻蚀第一凹槽;
在所述第一绝缘层上沉积多晶硅作为背极,沉积在所述第一凹槽的多晶硅形成限位件,所述限位件用于限位所述振膜向上运动的范围;
在所述背极上沉积氮化硅作为第二绝缘层,并对所述第二绝缘层进行刻蚀,刻蚀形成的凹槽延伸至所述背极;
在形成的凹槽中设置金属层,所述金属层为所述背极的电极板;
对所述基底进行刻蚀,并且与所述振膜的中间区域相对应的位置形成中央柱,使得所述基底形成背洞;
其中,所述中央柱用于限位振膜向下运动的范围,所述中央柱与所述限位柱共同限位所述振膜在外部声压的作用下的位移量。
9.如权利要求8所述的MEMS麦克风的制作方法,其特征在于,
所述金属层通过溅射方式形成。
10.如权利要求8所述的MEMS麦克风的制作方法,其特征在于,
对所述背极进行刻蚀形成深度凹槽,所述深度凹槽延伸至所述振膜。
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