[发明专利]拟合MOM电容的模型在审
| 申请号： | 202110728119.0 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113378510A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 拟合 mom 电容 模型 | ||
1.一种拟合MOM电容的模型，MOM电容由至少一个最小单元电容组成，其特征在于，包括：
CMOM＝C0*[MR*(LR+LR_SHIFT)*(NF+NF_SHIFT)]A，其中：CMOM为模拟电容的值，MR为最小单元电容的数量，LR为最小单元电容的长度，NF为最小单元电容的叉指数，LR_SHIFT的取值范围为-5e-6～5e-6，NF_SHIFT的取值范围为-5～5,C0为线性拟合系数，并且C0大于0，A的取值范围为0～2；
或者，CMOM＝C0*MR*[(LR+LR_SHIFT)*(NF+NF_SHIFT)]A，其中：CMOM为模拟电容的值，MR为最小单元电容的数量，LR为最小单元电容的长度，NF为最小单元电容的叉指数，LR_SHIFT的取值范围为-5e-6～5e-6，NF_SHIFT的取值范围为-5～5,C0为线性拟合系数，并且C0大于0，A的取值范围为0～2。
2.如权利要求1所述的拟合MOM电容的模型，其特征在于，在CMOM＝C0*[MR*(LR+LR_SHIFT)*(NF+NF_SHIFT)]A中，LR_SHIFT＝2.90E-07，NF_SHIFT＝-0.66，A＝0.9939，C0＝2E-10。
3.如权利要求1所述的拟合MOM电容的模型，其特征在于，在CMOM＝C0*MR*[(LR+LR_SHIFT)*(NF+NF_SHIFT)]A中，LR_SHIFT＝2.90E-07，NF_SHIFT＝-0.66，A＝0.9951，C0＝2E-10。
4.如权利要求1所述的拟合MOM电容的模型，其特征在于，所述最小单元电容为至少一层金属层形成。
5.如权利要求4所述的拟合MOM电容的模型，其特征在于，所述金属层为两个叉指电容组成，两个所述叉指电容位于同一平面，并且两个所述叉指电容的叉指相互交叉。
6.如权利要求5所述的拟合MOM电容的模型，其特征在于，所述最小单元电容的叉指数为两个所述叉指电容的叉指总数。
7.如权利要求4所述的拟合MOM电容的模型，其特征在于，所述最小单元电容为两层金属层堆叠形成，两层所述金属层分别为第一金属层和第二金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层上方。
8.如权利要求4所述的拟合MOM电容的模型，其特征在于，所述最小电容为三层金属层堆叠形成，两层所述金属层分别为第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层上方，所述第三金属层在所述第二金属层上方。
9.如权利要求1所述的拟合MOM电容的模型，其特征在于，所述MOM电容由多个最小单元电容并联组成。
10.如权利要求9所述的拟合MOM电容的模型，其特征在于，所述MOM电容由多行最小单元电容和多列最小单元电容组成，行的数目和列的数目相同。
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