[发明专利]一种3D NAND存储器的读取方法及装置

说明书

本发明提供一种3D NAND存储器的读取方法及装置，在时钟触发信号之前，将每个组中参考位线预充至预设电压，在地址译码之后，在目标位线与参考位线不同时，通过将目标位线与参考位线连接，使得目标位线处于可读取电压的状态，进而，在选中目标字线后，获取目标位线上的感应电流。这样，参考位线的预充无需占用时钟时间，而目标位线通过与参考位线的连接而处于可读取电压的状态，这种耦合方式较预充方式几乎无需占用时钟时间，可以大大减少读取操作的时钟时间，同时，可以大大降低功耗。

本申请为2019年09月09日提交的申请号为201910848936.2的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及存储器的集成电路设计领域，特别涉及一种3D NAND存储器的读取方法及装置。

背景技术

NAND闪存具有功耗低、质量轻且性能佳的非易失存储产品，在电子产品中得到了广泛的应用，而为了进一步提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D NAND存储器。

在3D NAND存储器中，存储器单元在三维方向上形成阵列，而在进行存储单元的读取操作时，一种方式是，在时钟到来之前，将所有的位线(BL，Bit Line)都预充到电压Vdd，而当字线(WL，Word Line)触发之后，这些位线将放电，这种方式的功耗过大。另一种方式是，在时钟到来并进行地址的译码之后，将目标地址的位线预充到电压Vdd之后停止预充，并触发字线，进行读取操作，而这种方式中在时钟到来之后需要进行位线的预充，会大大增加读取操作的时间消耗，降低读取效率。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种3D NAND存储器的读取方法及装置，提高读取效率并降低功耗。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

一种3D NAND存储器的读取方法，所述存储器包括存储单元串组成的存储阵列，每个存储单元串连接至一条位线，存储阵列中的位线分成多个组，所述读取方法包括：

在时钟信号触发之前将各组中参考位线预充至预设电压，参考位线为组中的一条位线；

进行地址译码，以获得目标位线和目标字线；

当目标位线与参考位线不同时，将目标位线与参考位线连接，使得目标位线处于可读取电压的状态；

在使能目标字线后，获取目标位线上的感应电流。

可选地，将目标位线与参考位线连接，包括：

将目标位线与参考位线短接。

可选地，每个组中的位线由本地多路选择器控制；所述将目标位线与参考位线短接，包括：

当目标位线与参考位线不同时，通过控制本地多路选择器同时选中目标位线和参考位线，以使得目标位线与参考位线短接。

可选地，在每次时钟周期的时钟信号触发之前，预充参考位线为组中的同一条位线。

可选地，所述存储器包括多个存储体。

一种3D NAND存储器的读取装置，所述存储器包括存储单元串组成的存储阵列，每个存储单元串连接至一条位线，存储阵列中的位线分成多个组，所述读取装置包括：

预充电路，用于在时钟信号触发之前将各组中参考位线预充至预设电压，参考位线为组中的一条位线；

译码电路，用于进行地址译码，以获得目标位线和目标字线；

位线使能电路，用于当目标位线与参考位线不同时，通过将目标位线与参考位线连接，使得目标位线处于可读取电压的状态；

电流感测电路，用于在字线使能之后，获取目标位线上的感应电流。