[发明专利]非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质在审
| 申请号： | 202110729052.2 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113409865A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 刘梦;温靖康;鲍奇兵;高益;吴彤彤 | 申请（专利权）人： | 芯天下技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/14 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 黄家豪 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区园山街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 擦除 方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
1.一种非易失性存储器擦除方法，其特征在于，包括步骤：
A1.对选定的存储单元进行擦除操作；
A2.对所述选定的存储单元进行擦除验证，并在执行擦除验证的读操作时对选中的存储单元的栅极施加第一电压，对未选中的存储单元的栅极施加第一负电压。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器擦除方法，其特征在于，步骤A2中，在执行擦除验证的软编程操作时对需要做软编程的存储单元的栅极施加第二电压，对未选中的存储单元的栅极施加第二负电压。
3.根据权利要求2所述的非易失性存储器擦除方法，其特征在于，所述第一负电压和所述第二负电压不小于-3V。
4.一种非易失性存储器擦除装置，其特征在于，包括：
擦除模块，用于对选定的存储单元进行擦除操作；
验证模块，用于对所述选定的存储单元进行擦除验证，并在执行擦除验证的读操作时对选中的存储单元的栅极施加第一电压，对未选中的存储单元的栅极施加第一负电压。
5.根据权利要求4所述的非易失性存储器擦除装置，其特征在于，所述验证模块在对所述选定的存储单元进行擦除验证的时候：
在执行擦除验证的软编程操作时对需要做软编程的存储单元的栅极施加第二电压，对未选中的存储单元的栅极施加第二负电压。
6.根据权利要求5所述的非易失性存储器擦除装置，其特征在于，所述第一负电压和所述第二负电压不小于-3V。
7.一种电子设备，其特征在于，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行如权利要求1-3任一项所述的非易失性存储器擦除方法的步骤。
8.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-3任一项所述的非易失性存储器擦除方法的步骤。
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